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衬底温度对直流磁控溅射法制备掺锆氧化锌透明导电薄膜性能的影响(英文) 被引量:10
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作者 张化福 刘瑞金 +3 位作者 刘汉法 陈钦生 王新峰 梅玉雪 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期766-770,775,共6页
利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实... 利用直流磁控溅射法在石英衬底上制备出了高透明导电的掺锆氧化锌(ZnO:Zr)薄膜。研究了衬底温度对ZnO:Zr薄膜结构、形貌及光电性能的影响。XRD表明实验中制备的ZnO:Zr为六方纤锌矿结构的多晶薄膜,具有垂直于衬底方向的c轴择优取向。实验所制备ZnO:Zr薄膜的晶化程度和导电性能对衬底温度有很强的依赖性。当衬底温度为300℃时,ZnO:Zr薄膜具有最小电阻率7.58×10-4Ω.cm,其可见光平均透过率超过了91%。 展开更多
关键词 掺锆氧化锌 衬底温度 直流磁控溅射 薄膜
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Remote State Preparation Using Non-Maximally Entangled State: Universality and Necessary Amount of Quantum Channels 被引量:1
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作者 梅玉雪 陈霖 陈一新 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2006年第3期548-551,共4页
In a process of remote state preparation, the universality of quantum channel is is, one quantum channel should be feasible to remotely prepare any given qubit an essential ingredient. That state. This problem appears... In a process of remote state preparation, the universality of quantum channel is is, one quantum channel should be feasible to remotely prepare any given qubit an essential ingredient. That state. This problem appears in a process where one uses non-maximally entangled state as the passage. We present a scheme in which any given qubit |φ) = cosθ|0) + sinθe^iψ|1) could be remotely prepared by using minimum classical bits and the previously shared non-maximally entangled state with a high fldelity, under the condition that the receiver holds the knowledge of θ. This condition is helpful to reduce the necessary amount of quantum channels, which is proven to be a low quantity to realize the universality. We also give several methods to investigate the trade-off between this amount and the achievable fidelity of the protocol 展开更多
关键词 TELEPORTATION IMPLEMENTATION SCHEME
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La1-xEuxFeAsO系统中的铕掺杂效应
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作者 梅玉雪 张富翔 王操 《山东理工大学学报(自然科学版)》 CAS 2020年第2期42-45,50,共5页
研究了采用高温固相反应法合成的La1-xEuxFeAsO(x=0,0.2,0.4,0.6)系列样品中镧位掺铕的元素替代效应。基于X射线粉末衍射的晶体结构表征显示,体系的铕掺杂固溶度高达60%。随着铕含量的提高,晶胞的a轴和c轴都线性下降,说明铕离子成功替... 研究了采用高温固相反应法合成的La1-xEuxFeAsO(x=0,0.2,0.4,0.6)系列样品中镧位掺铕的元素替代效应。基于X射线粉末衍射的晶体结构表征显示,体系的铕掺杂固溶度高达60%。随着铕含量的提高,晶胞的a轴和c轴都线性下降,说明铕离子成功替代了镧离子的晶位。电阻率随温度的变化图显示,LaFeAsO母体150 K附近的电荷密度波没有随着铕含量的提高而受到压制,同时体系在2 K以上没有观察到超导电性。磁化率测量显示,铕掺杂导致样品300 K下的磁化率线性增加。与此同时,所有掺铕样品的磁化率在150 K以上呈现明显的居里-外斯行为。经拟合得出,样品中铕离子的有效磁矩介于3.2~4.1μB之间,说明掺入的铕离子主要呈现+3价。 展开更多
关键词 铁基超导体 元素替代 自旋密度波 有效磁矩 化合价
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ZrCuSiAs型锰基化合物ThMnSbN中的化学压力效应
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作者 肖宇森 段清晨 +8 位作者 李佰卓 柳绍华 祝钦清 谭树刚 景强 任之 梅玉雪 王操 曹光旱 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期186-194,共9页
采用固相反应法合成了一种ZrCuSiAs型准二维层状锰基化合物ThMnSbN.基于X射线粉末衍射的结构精修显示,该化合物属于P4/nmm空间群.其晶胞参数为a=4.1731Å,c=9.5160Å.电输运测量显示,该化合物电阻率随温度下降缓慢上升,且在16 ... 采用固相反应法合成了一种ZrCuSiAs型准二维层状锰基化合物ThMnSbN.基于X射线粉末衍射的结构精修显示,该化合物属于P4/nmm空间群.其晶胞参数为a=4.1731Å,c=9.5160Å.电输运测量显示,该化合物电阻率随温度下降缓慢上升,且在16 K附近出现电阻率异常.与此同时,该材料的磁化率在同一温度附近出现异常,显示出类似磁性相变的行为.进一步的比热测量中没有观察到磁相变导致的比热异常.另外,低温下的比热分析显示,该材料的电子比热系数为γ=19.7 mJ·mol^(-1)·K^(-2),远高于其他同类锰基化合物.该结果与电输运测量中观察到的低电阻率行为相符,暗示ThMnSbN中费米面附近存在可观的电子态密度.基于对一系列ZrCuSiAs型化合物晶体结构细节的比较,分析了含有萤石型Th_(2)N_(2)层的系列化合物中导电层所受化学压力的不同作用形式. 展开更多
关键词 锰基化合物 晶体结构 物性测量 化学压力效应
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Phase transition in a two-dimensional Ising ferromagnet based on the generalized zero-temperature Glauber dynamics
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作者 孟庆宽 冯东太 +1 位作者 高绪团 梅玉雪 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2013年第12期461-465,共5页
At zero temperature, based on the Ising model, the phase transition in a two-dimensional square lattice is studied using the generalized zero-temperature Glauber dynamics. Using Monte Carlo (MC) renormalization grou... At zero temperature, based on the Ising model, the phase transition in a two-dimensional square lattice is studied using the generalized zero-temperature Glauber dynamics. Using Monte Carlo (MC) renormalization group methods, the static critical exponents and the dynamic exponent are studied; the type of phase transition is found to be of the first order. 展开更多
关键词 zero-temperature Glauber dynamics phase transition Monte Carlo renormalization group
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