双色场下MoS_(2)高次谐波产生的调制特性

使用紧束缚近似和速度规范下的密度矩阵方程对双色强激光场下单层MoS_(2)产生的高次谐波进行理论计算,通过调整双色场的延迟来观测高次谐波产生的强度随延迟的变化,发现在不同的驱动场偏振方向下高次谐波的振荡周期不同,并提出一个直观的模型来解释这一现象。当驱动场偏振沿Γ—M方向时,高次谐波的振荡周期会受到倍频光和基频光强度比的影响,从一个基频光周期内振荡2次变成振荡4次,这与倍频光和基频光的竞争有关。此外,研究了分别平行和垂直于驱动场偏振方向的偶次谐波振荡的振幅和相位信息,发现这两个方向的偶次谐波振荡相位受倍频光和基频光强度比的影响不同,这与它们的产生机制有关。理论计算表明,使用双色场作为驱动场不仅有助于理解材料反演对称性的结构信息,还有助于进一步理解固体材料中的电子动力学过程。