创新财务管理下高职院校财务绩效评价体系的改革研究

随着高职院校的快速发展,特别是国家提出"大力发展职业教育"后,我国的高等职业教育进入了新的阶段,高职院校的资源投入也随着规模的扩大而逐年递增,特别是在绩效工资改革的背景下,经费需求和资源供给相互间的矛盾越来越突出化。因此在高职院校建立科学合理的财务绩效评价体系,既符合财务管理工作的新要求,也是实现高职院校可持续性发展的必要手段。本文阐明了高职院校财务绩效评价的基本概念,并结合实际情况分析了高职院校财务绩效评价工作存在的问题,初步探讨了如何在高职院校中构建科学、合理的财务绩效评价体系。

浅析企业人力资源的合理配置

企业竞争力的强弱决定了企业能否在经济市场中存活和发展,而企业竞争力的强弱取决于企业内人力资源的配置是否合理。合理的人力资源配置能够发挥出个人的优点,最大化地弥补个人的缺点,为公司的发展作出了最大的贡献。合理的人力资源配置是保持社会活力的重要条件之一,它尽最大可能地挖掘出每个人的潜能,产生最大的经济效益。

市场经济条件下企业物资采购管理

市场经济条件下,企业物资采购管理是企业正常运行的核心内容,特别是在经济较为发达的国家,作为一种控制企业成本的最常见形式,为了保证企业的高效运行,就必须建立一套符合市场经济条件的企业物资采购管理方案,来帮助企业降低成本,创造利益。但是现如今企业物资采购管理制度并不完善,采购管理的效果难以有效发挥,因此,有必要结合国内市场经济的发展规律来完善如今的企业物资采购管理工作。本文从企业物资采购管理的基本理念入手,来分析如何完善物资采购管理以及企业物资采购管理的各方面工作,并提出了符合当今形式发展的企业物资管理形式,帮助企业完善现如今的物资采购管理制度。在市场经济的环境下,提出如何进一步规范现如今的物资采购管理配套机制,以保证企业效益的最大化。

浅谈高职院校的固定资产管理

随着高职院校的快速发展,特别是国家提出"大力发展职业教育"后,我国的高等职业教育进入了新的阶段,规模不断扩大,但是,大部分的高职院校固定资产管理观念比较淡薄,存在许多问题。为了更好地适应发展需要,不断健全和完善相关的管理规章制度,实现高职教育的可持续性发展,因此必须提高固定资产管理水平。本文结合固定资产管理中存在的问题,提出了相关的对策和建议,希望能为学校的发展提供有效的保障。

校办企业改制研究——以浙江商业机械厂为例

我国高职院校自成立校办企业以来,对国家经济、社会发展做出了贡献,弥补了学校教育经费不足的问题,改善了学校的办学环境等。但其在市场经济的发展过程中,仍然存在着一些亟需解决的问题,制约着其发展,因此,高职院校的校办企业改制势在必行。

关于国内企业兼并管理的对策及建议

企业的兼并行为是企业经营发展过程中的一种市场行为,在成熟的市场里企业兼并以及通过兼并形式形成的强强联合更为常见,我国随着经济的快速发展,在国际社会中参与竞争的机会越来越多,为了快速提高我国企业在国际市场上的综合竞争力,通过兼并或者收购的形式快速学习国外企业的先进经验不失为一种良好的提高方式。同时,国内企业的兼并与收购也能够巩固企业在国内市场的市场地位,因此,企业在具有充足资金的情况下,通常会进行有针对性的企业收购或兼并行为。

浙江商业职业技术学院高等职业教育研究所课题——以经济责任审计为抓手,提升学校发展

内部经济责任审计是高校内部审计工作的一项重要内容,通过内部审计部门组织实施,在加强高校党风廉政建设、健全干部监督管理机制、促进干部廉洁自律方面具有重要作用。通过对现状和存在的问题进行分析,有针对性地加强内部经济责任审计工作,为促进学校发展提出了相应的措施。

现今我国资产经营的风险效应与不确定性解析

随着经济发展和信息化技术水平的不断提高,世界各地联系日益紧密。企业发展获得了更好的契机,资产经营也成为企业越来越关注的话题。本文依据资产经营的相关理论对其存在的一些问题进行了简单的探索和分析。

低成本和商业卫星元器件抗辐射保证流程研究

为严格控制低成本卫星和商业卫星的研制成本,并缩短研制周期,有效手段之一是采用工业级器件、普军级器件,甚至是商用货架(Commercial Off-The-Shelf,COTS)器件。但是,研制成本与空间辐射环境适应性之间的矛盾是低等级器件和COTS器件在空间应用时需解决的主要问题。在分析低成本卫星和商业卫星空间辐射环境的基础上,结合NASA、ESA对低等级器件提出的评估筛选标准,思考了低成本卫星和商业卫星用电子器件抗辐射加固保证流程,为后续制定低成本卫星用元器件质量保证体系和大纲提供支撑。

试论企业资产管理现状与对策

企业进行经营活动必须拥有一定的资产,资产既是企业经营活动的基础,又能为企业带来无限的经济利益,所以在一个企业里,资产管理是企业运营的重中之重。目前,随着企业的不断发展,资产管理方面的问题也随之出现。本文将主要围绕企业资产管理中出现的一些问题进行分析,并提出相应对策。

解析我国资产经营公司管理信息化趋势与路径

资产经营公司的信息化管理是我国资产类公司发展的重要组成部分。截至去年底,我国的资产类经营公司的信息化水平已经达到了中上游水平,同时也保持着较为快速的增长速度。但就总体发展水平来看,和其他发达国家的信息化水平差异比较大,大多数信息化水平较高的公司集中在大城市,发展水平也参差不齐,在信息的使用和采集上也比较滞后。所以,对资产类公司信息化管理趋势和路径的研究,对于资本类经营公司的效益提高具有非常重要的意义。

NMOS晶体管沟道边缘电离辐射寄生漏电

对典型MOS器件的沟道边缘电离辐射寄生漏电进行了研究。给出了电离辐射条件下不同辐照剂量、辐照偏置、栅结构、沟道尺寸的典型NMOS晶体管电流-电压(I-V)特性曲线,并对试验现象进行了数值模拟分析。研究结果表明:NMOS晶体管的沟道边缘寄生漏电主要是由电离辐射感生氧化物陷阱电荷在场氧化层中积累造成的;截止辐照偏置下的寄生漏电明显小于导通偏置;与梳形栅和蛇形栅相比,环形栅结构未出现寄生漏电;NMOS晶体管沟道长度越小,寄生漏电就越严重。

一种功率运算放大器失效机理的研究

对一种功率运算放大器的失效问题进行了研究并分析了失效机理。功率运算放大器在测试时发生失效,同时,-20 V供电电源电压在加电过程中存在波动。通过内部目检发现失效芯片内部驱动晶体管及相连的金属均存在过流烧毁形貌。对失效功率运算放大器和良好功率运算放大器进行红外热成像分析,失效器件的温升总体比台温高10℃。通过失效分析,供电电源发生快速突跳导致了功率运算放大器内的晶体管在导通和关断之间快速切换形成热量累积效应,从而导致器件烧毁,造成功率运算放大器过流失效。对电源输出波形异常原因进行分析,电源限流过小导致电源电压降低,从而造成加电时快速突跳。最后,搭建测试电路对功率运算放大器进行复现实验,进一步证明了器件的失效机理。

工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响

利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响。结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松;在工作气压为0.8 Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小。

元器件应用验证技术及其工程实践

应用验证是对国产元器件在上装应用前开展的一系列试验、评估和综合评价工作,评价元器件研制的成熟度和型号装备应用的适用度,以确定其在型号装备的可用度。本文对元器件应用验证的技术内涵、方法和平台、技术流程、关键技术及其与系统工程的关系等进行了分析研究。通过型号装备研制中的应用验证工程实践,剖析了对装备应用要求了解不足和理解不深、元器件研制技术未吃透、产品应用状态了解不足等在应用验证中发现的典型问题案例,提出了后续开展应用验证工作的建议。

典型国产双极工艺宇航用稳压器单粒子闩锁效应研究

通过对某国产双极工艺宇航用稳压器进行不同LET值重离子辐照试验,实时监测器件输出电压的变化幅度和器件供电管脚电流,准确评估了器件抗单粒子效应性能。研究结果表明器件发生单粒子瞬态效应阈值小于5 MeV·cm2·mg-1,当辐照重离子LET值增加至37.37 MeV·cm2·mg-1时,诱发器件产生单粒子闩锁效应,器件供电管脚电流由6 mA陡增至24 mA。在分析重离子试验数据的基础上,借助脉冲激光获得了器件内部单粒子效应敏感区域位置和结构特征。分析认为由于芯片内部多个功能模块共用一个隔离岛,同一个隔离岛内的器件之间形成的寄生PNP管与隔离岛内NPN管形成了PNPN可控硅结构,当入射重离子LET值足够大时将诱发寄生PNPN结构导通,进入闩锁状态。采用模拟软件Spectre实现了电参数级的瞬态故障注入模拟,复现了该双极工艺结构下单粒子闩锁效应现象。

一种锂离子电池管理芯片的失效定位

针对一种锂离子电池管理芯片的失效定位进行了研究。某单机在测试时由于锂离子电池管理芯片失效,导致所采集的电压数据间歇异常跳变。经一致性分析,发现失效锂离子电池管理芯片老炼后的转换功耗和回读功耗与同批次芯片相比异常增加。通过微光分析和版图对比,发现失效芯片中菊花链电流比较器的NMOS管存在漏电缺陷。对比较器工作原理进行进一步分析,并分析了SCLK接口和CNVST接口的翻转阈值与功耗变化量之间的关系,确认了芯片失效是由于NMOS管漏电所导致,且通过电老炼可以暴露NMOS管的漏电缺陷。最后,针对器件功耗变化量与内部NMOS管漏电之间的关系进行了仿真和计算,定量验证了锂离子电池管理芯片老炼后功耗的增加是由于比较器NMOS管漏电引起的。

典型VDMOSFET单粒子效应及电离总剂量效应研究

利用252Cf源和60Coγ射线源对典型VDMOSFET进行单粒子效应和电离总剂量效应模拟试验,给出典型VDMOSFET的单粒子烧毁(SEB)、单粒子栅穿(SEGR)效应测量结果以及不同偏置条件下漏源击穿电压随辐照剂量的变化情况。结果表明,VDMOSFET对SEB和SEGR效应以及VDMOSFET漏源击穿电压对电离总剂量效应比较敏感,空间应用时需重点考虑VDMOSFET的抗SEB和SEGR能力;考核VDMOSFET的抗电离总剂量效应能力时对阈值电压和击穿电压等敏感参数应重点关注。