碳化硅晶片表面质量差异影响因素研究

分析了金刚石线锯多线切割150 mm SiC晶片的表面形貌及质量,通过测试SiC片Si面和C面的表面粗糙度(Ra),发现C面Ra值约为Si面的2倍。在切割过程中晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面磨削修整作用更强,从而使晶片Si面更加光滑。此外,通过显微截面法测试了SiC晶片两面的损伤层深度。结果表明,Si面损伤层深度约为7.89μm,明显低于C面的13.8μm,显微镜下观察到截面边缘更加平整。该方法进一步证明了多线切割时晶片向Si面弯曲,使锯丝侧向磨粒对Si面的磨削效果更强,从而造成SiC晶片两面表面形貌和质量存在差异。

生长条件参数对碳纳米管阵列定向性的影响

采用化学气相沉积法(CVD)制备出了结构可控的碳纳米管阵列,并对其定向性进行了系统研究。采用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的形貌和结构进行了表征。结果发现碳纳米管阵列的石墨化程度及定向性受催化剂浓度、生长基底位置、载气流速因素影响。结果表明,过低或过高的催化剂浓度以及载气流速都会使得碳纳米管阵列的定向性变差。而生长位置离基底中心越近,碳纳米管阵列的定向性越好。

6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶电阻率均匀性

GaN射频器件在通信基建上的大幅应用,推进了6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶的产业化需求。随着晶体直径增大,6英寸高纯半绝缘4H-SiC单晶存在易开裂、电阻率分布不匀的问题。利用有限元仿真设计,优化了热场分布,降低了晶体内热应力聚集,减少了晶体开裂。采用SIMS、拉曼光谱等手段分析了影响6英寸4H-SiC单晶内电阻率分布不均匀的因素,发现主要原因为正向SiC晶体小面生长机制导致N元素分布不均。采用分区高能粒子辐照处理工艺,进行分区深能级点缺陷调控,电阻率可控制在1011Ω·cm以上,可将片内和片间电阻率最大值与最小值的比值控制在1个量级内,大幅提升电阻率均匀性。

俄罗斯雷达技术的发展动态和启示

综述俄罗斯雷达技术发展的新动态及 Ｗ Ｎ 级米波雷达的反隐身能力和反反辐射导弹能力。重点讨论了 Ｗ Ｎ 级雷达的模块化设计思路及其所带来的启示。

采用新的偏心凹槽栅工艺制作的低噪声InGaAs HEMT

采用新的偏心凹槽栅工艺制作的低噪声InGaAs HEMT(高电子迁移率晶体管),在12GHz下噪声系数可达到0.68dB。这种n-AlGaAs/InGaAs PHEMT结构是用分子束外延法在半绝缘的GaAs衬底上生长的。采用这种新的偏心凹槽栅工艺可以减小栅源电阻,栅漏击穿电压可达6V以上。栅长为0.2μm的InGaAs HEMT在最低噪声偏置点的跨导为510mS/mm。在12GHz下,当V_(ds)=2V,I_(ds)=16mA时,最小噪声系数和相关增益分别为0.68dB和10.4dB。采用这种新的HEMT作为第一级的三级放大器,其最小噪声系数为1.2dB,最大增益为31dB。