TC4钛合金表面TiO_2-PTFE复合膜层的制备

采用特殊的化学及物理处理方法,在钛合金表面制备TiO2-PTFE复合膜层,该润滑膜由硬质阳极氧化膜与低摩擦系数的聚四氟乙烯(PTFE)结合而成,具有较好的自润滑特性。研究了TiO2-PTFE复合膜层的组织形貌、物相组成以及元素组分,讨论了阳极氧化处理工艺和涂覆时间对PTFE涂覆量的影响。结果表明,TC4钛合金阳极氧化后形成了由锐钛相和金红石相双相晶型组成的纳米级TiO2多孔膜,涂覆PTFE后,表面及膜孔处被PTFE聚合体所覆盖。TC4钛合金样品经过不同电压和不同氧化时间处理后,PTFE涂覆量趋于稳定。随着涂覆时间的延长,PTFE涂覆量逐渐增加,在最初5～20min内,涂覆量增加较快,超过20min后涂覆量增加缓慢。

含聚四氟乙烯涂膜的物理性能研究

以聚笨硫醚(PPS)和聚酰亚胺(PI)为复合粘结剂与聚四氟乙烯(PTFE)混合于合适的溶剂中,制成含PTFE的涂料。分别研究了复合粘结剂中PPS和PI的配比以及涂料中PTFE与复合粘结荆的配比对涂膜性能的影响。结果表明,当复合粘结剂中m(PPS):m(PI)=75:25,涂料中m(PIFE):m(复合粘结剂)=65:35时,所得涂膜性能优良:附着力1级,柔韧性1mm,冲击强度大于500 N／cm2。经过100℃,200℃和250℃的加热-淬冷以及十次加热-淬冷循环实验后,涂膜的物理性能不改变。

低氧分压区域熔炼NdBaCuO超导体

NdBaCuO在低氧分压下(1%O2+99%Ar)进行区域熔炼,区域熔炼温度明显降低,从而减少了液相(BaCuO2和CuO)在区域熔炼过程的损失。区域熔炼后NdBaCuO超导体中的非超导相Nd422含量明显降低,同时也降低了Nd对Ba的取代。在低氧分压下区域熔炼制备的Nd1+xBa2-xCu3Oy的超导电性得到明显改善。比较了区域熔炼Nd1+xBa2-xCu3Oy样品在不同温度下吸氧热处理的实验结果,得出350℃是最佳吸氧温度;用XRD分析了区域熔炼Nd1+xBa2-xCu3Oy样品的晶体取向;用标准四引线法测量了超导转变温度(Tc)和临界电流密度(Jc),比较了空气下和(1%O2+99%Ar)低氧压下区域熔炼Nd1+xBa2-xCu3Oy样品的Nd422相含量、Tc值、Jc值,证明在(1%O2+99%Ar)低氧压下区域熔炼Nd1+xBa2-xCu3Oy样品的Nd422相含量低,Jc值显著提高,达到28000A·cm-2(0T,78K)。

金属表面防腐用含聚四氟乙烯复合涂膜的研制

聚苯硫醚(PPS)和聚酰亚胺(PI)具有高温熔流性以及与金属表面良好的粘接性,将其与PTFE制成混合涂膜,即可以保持PTFE的耐腐蚀、耐高温和固体润滑的特点,又可与金属表面有良好的粘结强度。试制了PTFE+PPS、PTFE+PPS以及PTFE+PPS+PI三种复合涂料,经比较得知,PTFE+PPS+PI复合涂膜的性能最好,其附着力为1级,柔韧性达到1mm,冲击强度大于500N.cm。还考察了涂膜的耐腐蚀性和抗热震性。

全化学法制备缓冲层和YBaCuO超导涂层

用化学溶液沉积法,尤其是金属有机物沉积法(MOD)制备第二代超导带材,包括缓冲层和YBaCuO涂层,在当前超导带材研究中具有重要的意义.因为其成本低、操作简单、便于规模化生产,可能成为制备高温超导带材最有前途的方法.文内详述了用化学气相沉积,化学溶液沉积,电泳共沉积以及超声雾化热分解等方法制备YBaCuO超导涂层的国内外进展,介绍了在LaAlO3单晶上以及金属基带上制备钙钛矿结构缓冲层的主要种类和特征,也介绍了当前研究的热点之一,导电缓冲层的作用、制备方法和研究进展.

定向反应合成高T_C超导化合物YBa_2Cu_3O_x

提出定向反应合成过程制备液氮温区超导化合物YBa_2Cu_3O_x;报道了制备零电阻温度为90—94.5K,ΔT=1K的YBa_2Cu_3O_x的试验结果;试验确定并讨论了Y_2Cu_2O_5-CuO-YBa_2Cu_3O_(6.5)-Y_2BaCuO_5区域内的相平衡关系。

Nd_(1+x)Ba_(2-x)Cu_3O_(7-δ)超导体的热处理

通过对Nd1 +xBa2 -xCu3O7-δ的两种样品 (烧结样品和区域熔炼样品 )的XRD谱图分析 ,研究了高温氩气氛下热处理对样品中Nd对Ba的取代值x的影响 ,同时比较了不同样品的Tc 和Jc 值。研究表明 ,氩气下 95 0℃热处理可以减少Nd对Ba的取代 ,Tc 和Jc 都有不同程度的提高。对不同固溶度x值的Nd1 +xBa2 -xCu3O7-δ进行吸氧热处理 ,样品在热处理前后分别作XRD分析。从XRD谱图可以看出 :当x <0 4时 ,样品经吸氧后可以从四方相转变为正交相 ,而当x >0 4时 。

高T_c超导化合物YBa_2Cu_3O_(6.5+δ)的Gibbs生成自由能

用 CaF_2单晶作固体电解质,构成了氟化物-氧化物原电池(?)及(?)测得电池的可逆电动势为E_1=-0.063+1.43×10~4×T(V)E_2=0.089+1.68×10^(-4)×T(V)从而计算了由纯氧化物生成 BaCuO_2(011相)及 YBa_2Cu_3O_(6.5(?)δ)(123相)的标准生成自由能变化:△G_(011)~0=-10.5+1.8×10^(-3)×T(×4186.8J/mol)△G_(123+δ)~0=-19.0+(7.4-1.6×δ)×10^(-3)×T(×4186.8J/mol)在计算△G_(123+δ)~0时考虑了氧的非化学计量系数δ。

YBa_2Cu_3O_x超导体固态合成过程中的化学反应

实验选择3个主要的YBa_2Cu_3O_x化合物固态合成过程,它们的原料配比为: Y_2O_3:BaCO_3:CuO=1:4:6 (Ⅰ) Y_2Cu_2O_5:BaCuO_2=1:4 (Ⅱ) Y_2BaCuO_5:BaCuO_2:CuO=1:3:2 (Ⅲ)每种样品在5个温度段分别取样,用X射线衍射分析试样的相组成。通过比较每两温度段试样的相组成,估计其间的化学反应。样品(Ⅰ)在生成YBa_2Cu_3O_x的过程中,化学反应最复杂,全过程化学反应达9个之多,中间产物有Y_2Cu_2O_5、BaCuO_2、Y_2BaCuO_5和CO_2。最后生成YBa_2Cu_3O_x的化学反应为: Y_2BaCuO_5+3BaCO_3+5CuO=2YBa_2Cu_3O_x+3CO_2样品(Ⅱ)的中间产物是Y_2BaCuO_5和CuO,整个合成过程有3个化学反应。样品(Ⅲ)的化学反应自始至终只有一个。样品(Ⅱ)与样品(Ⅲ)最后生成YBa_2Cu_3O_x的反应是一样的,即: Y_2BaCuO_5+3BaCuO_2+2CuO=2YBa_2Cu_3O_x。这与Y_2BaCuO_5-CuO-BaCuO_2区域的相关系是相符合的。

镁合金化学镀中预处理氟化镁膜的特征与作用

对镁合金的表面前处理工艺进行研究,探讨氟化镁在化学镀层中的存在形式及作用。结果表明:酸浸使镁合金表面形成一层氧化物膜;活化过程生成的氟化镁不具备反应活性,对镁合金基体有保护作用,使之免于受镀液的过度腐蚀;对化学镀层断口进行SEM元素分布分析显示氟化镁层集中存在于镁合金基体与Ni-P镀层之间;但过度活化会导致化学镀层孔隙率升高,以3.5%NaCl溶液为介质的动电位极化测试表明,过度活化会导致化学镀层耐蚀性下降。

稳恒磁场下Ni-W合金镀膜的制备与耐蚀性

研究了施加稳恒磁场（0～1T）对电镀Ni—W合金的影响。测定不同方向、不同强度稳恒磁场下的电流效率、合金组成及镀层的耐蚀性，并用扫描电镜和X射线衍射对镀层的微观形貌及结构进行了观察和分析。对实验结果进行了分析讨论，找出稳恒磁场对这些性能指标的影响规律。结果表明：与不施加磁场相比，施加磁场后镀层的表面更均匀、细致、平整；镀层的含钨量上升：当B⊥J，B=1．0T时，含钨量上升了约7％；当B∥J，B=1．0T时，含钨量上升了约9％；镀膜的非晶化程度增强；镀膜的耐蚀性提高；但Ni—W合金电镀的电流效率降低。

TC4钛合金表面阳极氧化制备TiO_2多孔膜的实验研究

以硫酸为电解液,钛合金（TC4）为阳极,不锈钢片为阴极,采用恒压的氧化方式在钛合金表面获得TiO2多孔膜。通过扫描电镜（SEM）观察了多孔膜的微观形貌并用X射线衍射（XRD）对覆在钛合金基体上的氧化膜进行了物相分析,研究了氧化工艺参数电压、阳极氧化时间和硫酸浓度对TiO2多孔膜相组成的影响。结果表明：TC4钛合金阳极氧化获得的氧化膜为非均一平面的TiO2多孔膜,且膜的孔径分布在90-240nm,XRD分析表明在不同的氧化工艺参数下氧化膜均由锐钛相和金红石相双相晶型组成。在0.5mol/L硫酸溶液中,电压高于100V或氧化时间长于5min即出现锐钛相和金红石相TiO2,随着电压的升高和时间的增长金红石相TiO2的含量逐渐增加;在恒压120V时,硫酸溶液浓度为0.3mol/L即出现锐钛相和金红石相TiO2,随着硫酸浓度的提高金红石相TiO2的含量先增加后减少。

光电比浊法测定硼酸中的氯

研究了在硝酸介质中，利用AgCl胶体悬浮液在丙三醇中的稳定性，通过光电浊度仪测定硼酸中微量氯的方法．实验讨论了稳定剂用量、酸度、硝酸银用量、预热温度、预热时间、暗置时间、测量时间对溶液浊度的影响，从而确定了测试的最优条件，使分析易于操作．AgCl悬浮液的稳定性较差，并容易受到温度等因素的影响，加入丙三醇溶液增强了AgCl胶体的稳定性，可使测量时间保持在40min，提高了测定的精密度与准确度．方法的检出限为0．030mg/L，相对标准偏差RSD〈0．04％，回收率在102．2％～106．5％之间．氯的质量浓度在0．10—0．25mg／L范围内与浊度值之间呈良好的线性关系．方法简便、可靠、无毒，可在实际中应用．

比浊法测定硼酸中的氯和硫酸根

主要研究在酸性介质中采用光电比浊法测定硼酸中微量氯和硫酸根。分别讨论了稳定剂的选择、酸度、沉淀剂用量、加热温度和时间以及测量时间对溶液浊度的影响,从而确定了测试的最优条件,使分析易于操作。硫酸根的测定中选用丙三醇-乙醇(体积比为1∶4)混合溶液作稳定剂,沉淀剂为酸性氯化钡溶液,采用手动振荡使待测液均匀,并对待测液加热,使试剂的加入顺序对结果无影响,方法的检出限为0.10 mg/L,相对标准偏差RSD<0.03%,回收率在98.85%~103.00%,测量时间保持在40 min以上。硫酸根质量浓度在0.33~0.83 mg/L与浊度值之间呈良好的线性关系。氯的测定中,加入丙三醇作稳定剂,可使测量时间保持在40 min,检出限为0.03 mg/L,RSD<0.04%,回收率在102.2%~106.5%,氯质量浓度在0.10~0.25 mg/L与浊度值之间呈良好的线性关系。光电比浊法提高了测定的精密度与准确度,方法简便、可靠、无毒,可在实际中应用。

磁场下电沉积制备CuCo颗粒膜的巨磁电阻效应

在磁场下电沉积制备CuCo功能膜材料,研究膜层的巨磁电阻效应及磁性能。应用X射线衍射仪(XRD)对镀层微观结构随热处理温度的变化进行分析,采用四引线法及振动样品磁强计(VSM)测量膜层的磁性能。磁阻测试发现:磁感应强度为0.6T下制备的CuCo颗粒膜经500℃真空退火处理1h后,其巨磁电阻值较无磁场下制备的提高约25%,这是由于0.6T下制备的颗粒膜晶粒较致密,同时磁场减少了膜层内部缺陷,如杂质、夹杂等。样品磁滞回线表明:500℃真空退火处理1h后膜层具有最佳的磁性能,此时膜层中的单磁畴磁性粒子有助于提高巨磁电阻值。CuCo颗粒膜电沉积制备过程中施加磁场可以改善膜层的微观结构,使其具有更高的巨磁电阻效应。

预处理+SBR+MBR处理抗生素制药废水试验研究

先用混凝+水解酸化法预处理抗生素废水,再用序批式活性污泥反应器(SBR)+一体化膜生物反应器(MBR)进行生化处理。结果表明:废水经混凝处理后,CODCr平均去除率达33.72%,水解酸化预处理后,CODCr平均去除率达到17.25%,可生化性提高;经SBR+MBR组合好氧工艺处理后,CODCr由平均进水1 200 mg/L降至出水195mg/L左右(≤300 mg/L),达到国家污水综合排放标准(GB 8978—1996)二级指标。

钛及钛合金渗硼的研究现状与反应机理

钛合金表面渗硼可极大地提高钛合金的耐磨性能.本文综合阐述了国内外钛及其合金表面渗硼的研究现状,探讨了固体渗硼法中表面渗层形成机理与硼钛化合物的生长动力学.基体组织、渗剂组成、渗硼温度、氧分压等因素会影响渗硼层结构.在接近β转变点的温度条件下,可能获得较厚的渗硼层.双相结构中的TiB与TiB2层的厚度d与时间t的关系分别满足Fick扩散第二定律d2=K·t.

磁场影响下的电沉积

综述了近年来国内外磁场下电沉积研究的些进展情况,如磁场对镀液性能及镀层表面状态、微观结构、合金组成等的影响;指出磁场能控制电结晶生长方向,可以获得特定功能的镀膜。展望了该领域的发展前景及在未来研究中应解决的问题。

富硼高炉渣中遂安石相的析出行为

利用扫描电镜和X射线衍射分析研究了富硼渣MgO-B2O3-SiO2-Al2O3-CaO渣系在不同冷却速率下,连续冷却和分段冷却时富硼渣中遂安石相的析出行为.试验结果表明,熔渣以不同的冷却速率由1 500℃冷却到800℃时,由于富硼炉渣中高熔点的镁橄榄石相先于遂安石相析出,对遂安石相的析出起到阻碍作用.采用分段冷却的方法,在1 500～1 200℃温度区间快速冷却,可以很好地抑制镁橄榄石相的析出,减弱镁橄榄石相对遂安石相成核与粗化的阻碍作用;1 200℃保温使得粒子之间可以充分地相互作用,有利于遂安石的成核与粗化.可见,遂安石相的析出和长大,不仅受过冷度和黏度的影响,而且受镁橄榄石结晶程度的影响.

硼砂酸化法制备硼酸过程中影响因素的研究

通过比较硫酸与盐酸硼砂酸化法制备硼酸实验,讨论了硼酸制备过程中酸种类、溶液酸度、加酸中和温度、结晶温度、反应固液比、降温方式、搅拌速度等实验条件对硼酸结晶的影响,从而得出硼砂酸化法制备硼酸的最优实验条件,硼酸纯度可达99.7%以上。酸化法制备的硼酸经重结晶,纯度可达99.9%。此研究为高纯硼酸的制备提供了参考条件。采用母液循环工艺,减少了环境污染。钠盐副产品可提纯精制或作硼肥,提高了硼酸收率,使硼资源得到充分的利用。