物理层密钥的生成与应用前景

由于密钥生成和分发阶段的局限性,传统的公钥基础设施已经难以满足无线通信领域日益复杂的安全需求。无线信道的互易性,使得通信双方能够在公共信道中获得高度相关的信道特征。同时,信道环境的时间和空间变化性,为物理层密钥带来了一定的随机性和防窃听能力。基于上述互易性和变化性,通信双方可以通过提取和处理无线信道的物理层特征,实现物理层密钥的生成。物理层密钥具有通信开销低、硬件要求低和不依赖于数学难题等特性,在无线安全通信、自组织网络安全通信和抗量子安全通信等领域具有重要的研究意义。

超宽带无线通信中超高重复频率亚纳秒窄脉冲的生成方法

本文针对目前超宽带(UWB:Ultra Wideband)无线通信系统中窄脉冲信号产生存在的问题,面向未来高速无线个域网通信的需求,设计了一种适于CMOS集成的超高重复频率亚纳秒持续时间的超宽带脉冲信号实现的原理电路;其创新点在于从频域角度通过滤波来设计高重复频率的亚纳秒窄脉冲,而不是传统的从时域和器件角度来设计超宽带窄脉冲信号。文中给出了理论分析和电路测试结果。

直扩多用户超宽带系统在室内衰落信道下的BER表达式(英文)

基于室内多径衰落信道统计模型,分析并仿真了直扩二相相移键控多用户超宽带无线通信系统的比特误码率性能.通过理论分析,推导出了系统比特误码率性能的解析表达式,该表达式表示为脉冲宽度、脉冲重复周期、用户数以及脉冲波形等信道参数和系统参数的函数,从而可以方便、统一地分析这些参数对系统性能的影响.仿真结果与基于理论分析的数值计算结果相当吻合,表明直扩二相相移键控超宽带系统的多址干扰为正态分布.

低功耗低相位噪声4．8GHz CMOS压控振荡器芯片设计

采用TSMC0．181μm RFCMOS工艺设计并实现了一个应用于无线传感器网络射频前端频率综合器的低功耗、低相位噪声4．8GHz电感电容压控振荡器。此振荡器的核心电路采用电流源偏置的互补差分负阻结构，降低了电路对电源电压变化的灵敏度和功耗。电感电容谐振腔采用了降低相位噪声的设计方法。在不恶化相位噪声性能的前提下，核心电路还采用3比特的开关电容阵列提高了振荡器的频率调谐范围。测试结果表明，在电源电压为1．8V时，此振荡器的频率调谐范围可达20％，可有效克服因电源波动、工艺角偏差以及温度变化等而引起的偏差；振荡频率为4．8GHz时，频偏为3MHz处的相位噪声为-121．68dBc／Hz。芯片带焊盘面积为700μm×900μm。核心电路仅消耗1．5mA电流。

无线传感网射频芯片中4.8GHz低功耗压控振荡器设计

为满足无线传感网射频收发芯片中频率综合器的应用需求,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计并实现了一个4.8 GHz低功耗LC压控振荡器.电路核心采用电流源偏置的互补差分负阻LC振荡器结构以及3 bit开关电容阵列,输出采用共源级缓冲.给出了电路设计,对噪声抑制进行了分析,并在Cadence环境下完成了版图设计,版图面积为700μm×900μm.在电源电压为1.8V条件下进行了后仿真,并采用2组SSGSS及1组三针直流探针完成了流片验证和芯片测试.结果表明:电路的后仿真调谐范围大于25%,能够有效地补偿工艺角偏差;在载波频率为4.8 GHz处,后仿真相位噪声为-126.8 dBc/Hz@3 MHz.实际测试中,电路的调谐范围为24%,在应用要求的3 MHz频偏处,相位噪声达到-121.12 dBc/Hz,核心电路工作电流仅为2 mA.

直扩超宽带系统在室内密集多径下的多址性能(英文)

分析了脉冲方式直扩二相相移键控超宽带无线通信系统在室内多用户和密集多径环境下用户码对系统性能的影响,推导了采用Rake接收时系统的输出信号,并为直扩超宽带系统提供了一种简单而切实可行的用户码方案,即:在大的脉冲波形占空比的条件下,直接选用码长足够长的、具有良好的互相关正交特性的随机或伪随机用户码即能使脉冲方式直扩超宽带无线系统获得接近最佳的性能,从而不必精心设计和选择用户码.仿真了Rake接收时CM1～CM4多径信道下采用Gold序列与随机二进制PN序列作为用户码时的多用户性能,验证了提出的用户码方案的可行性.

无线传感网SoC芯片中4.8GHz压控振荡器设计

采用SMIC0.18μm1P6M RF CMOS工艺设计了一个4.8GHzLC压控振荡器,该压控振荡器应用于无线传感SoC芯片射频前端频率综合器中。电路核心采用带电阻反馈的差分负阻结构,因此具有良好的相位噪声性能;2bit的开关电容阵列进一步提高了电路的调谐范围;共源级输出缓冲提供了较好的反向隔离度。所设计的芯片版图面积为600μm×475μm。在电源电压为1.8V时,后仿真结果表明,电路调谐范围最高可达40%,有效地补偿了工艺角偏差;在4.95GHz处,后仿真测得的相位噪声为-125.3dBc/Hz@3MHz,优于系统要求5.3dB;核心电路工作电流约5.2mA。

一种减少搜索的软输出检测算法及其在Turbo均衡中的应用(英文)

为了减少MAP算法的复杂度 ,可以采用减状态或减搜索技术 .本文提出了一种完全基于M算法原理、应用于Turbo均衡的减少搜索的软输出检测算法 ,它是一种次最佳的Lee算法 .该算法称为软输出M算法 (SO M 算法 ) ,它同时在Lee算法的前向迭代及扩展前向迭代中采用了M策略 .计算机仿真结果表明 ,通过适当选择和调整Turbo均衡迭代过程中算法的广度参数和深度参数 ,该算法可获得较好的性能与复杂度的折衷 .

基于宽带CDMA的第三代移动通信无线接入系统

论述第三代移动通信的系统结构、无线接入网的功能结构和第三代移动通信系统中基于宽带CDMA的无线接入系统的协议构成、功能及其采用的技术。

第三代移动通信系统无线传输技术的新进展

概述了第三代移动通信系统的研究、发展及标准化过程，介绍了截止１９９８年６月底各地区组织向国际电联（ＩＴＵ）提交的最新无线传输技术候选方案，对其中引人注目的宽带ＣＤＭＡ方案的技术优点与特性进行了论述。

用于315/433MHz超再生接收机的射频前端关键技术

采用0.5μm CMOS工艺实现了用于315/433MHz超再生无线接收机的射频前端电路,包括射频放大器和超再生振荡器。文中提出了一种改进型有源电感,提高了射频放大器中谐振回路的品质因数。阐述了振荡器的自偏置效应以及振荡器输出信号幅度和电流源的关系,在此基础上实现了适用于包络检波的差分结构超再生振荡器。测试结果显示,电源电压范围为2.5V^5V,电流小于2.5mA,系统接收灵敏度优于-90dBm。

超宽带无线电中纳秒级脉冲产生研究

在分析现有超宽带无线电的载体—窄脉冲产生方法优缺点的基础上,提出产生超宽带纳秒级脉冲的逻辑框图,并由此设计相应的电路原理图、PCB版图,经实物调试测出输出波形,最后指出该电路的应用领域。

脉冲激励的长方形发射天线的分析与波形优化

在脉冲激励天线中 ,脉冲波形对于辐射功率有着重要的影响。对长方形行波天线的激励电流脉冲波形与其辐射功率的关系进行了分析。提出了激励电流的优化问题 ,使得天线在给定方向上的辐射能量最大化。并且给出了优化问题的解法和几种参数下的优化波形。通过具体的数值计算 ,与其他参考文献中使用的波形相比 。

浅谈Routh-Hurwitz判据中的若干应用

本文从Routh-Hurwitz数列的原理出发,讨论了其在"信号与系统"课程中系统稳定性判断时的应用。作为课题讲解的难点,笔者着重讨论了Routh数列全零行出现的原理。这是在本课程关于系统稳定性分析中让诸多学生感到困惑和难以理解的一个问题,本文利用辅助多项式与偶次多项式,使上述问题的讲解明朗化。

超宽带无线通信系统的一种新的接收机结构

本文提出了超宽带(UWB)无线通信系统的一种新的接收机结构及其相应的算法。这种接收机可以使用天线阵,然后对脉冲序列相关器的输出进行加权处理,从而增强了通信系统对多用户干扰(MUI)的抑制能力。计算机仿真结果说明,不管是用于脉位调制(PPM)还是脉幅调制(PAM)系统中,这种接收机的性能都优于常规的接收机。

种内竞争对冬小麦生长的影响

为了研究种内竞争对冬小麦生长的影响,利用对照试验,通过测定小麦不同生长时期的株高、叶面积等数据,进行统计分析。结果表明,种内竞争对小麦生长过程中的株高及叶面积均起促进作用。同时,还进行了在有肥和无肥条件下种内竞争情况的试验,以研究肥料有无对种内竞争的影响。

超宽带圆盘形定向天线阵列波形的优化

本文分析了超宽带(UWB)脉冲波形对圆盘形天线阵列的角度分辨率的影响,对UWB圆盘形定向天线阵列中的波形进行了优化。文中给出了具体的例子,得出了优化波形。优化波形比相应的Gaussian波形在角度分辨性能上得到了明显的提高。

宽带无线接入OFDM系统信道估计技术研究

简要介绍了宽带无线接入IEEE802．16a标准，重点研究并用计算机仿真方法比较了几种基于OFDM的信道估计算法在固定无线信道下的性能。结果表明LS算法比较适合固定宽带无线信道。

二层VPN互联的研究

传统的基于伪线的二层虚拟专用网(VPN),由于客户端边缘设备(CE)接入的二层协议类型必须相同,被限制了使用范围。文章通过对基于伪线的二层VPN互联的两种模型本地服务延伸模型和本地服务独立模型进行研究、比较,提出了本地服务独立模型解决方案,并进一步提出了基于三层VPN的二层VPN互联解决方案。该研究成果已经在中兴通讯的ZXR10路由器平台上实现。

2.4GHz无线传感器网络SoC芯片上混频器的设计

介绍了一种采用SMIC 0.18μm RFCMOS工艺,设计了一种应用于2.4 GHz无线传感器网络SoC芯片的射频发射机上混频器模块电路单元,其中转换增益为-6.3 dB,输入1 dB压缩点为-4.6 dBm。工作电压为1.8 V,功耗为5.4 mW,工作频率范围为2.4~2.483 5 GHz,工作温度范围为-20^+80℃低功耗的上混频器。上混频器芯片的面积为0.56 mm2。