新一代大功率新型器件MOS门极晶闸管

大功率器件有着重要作用。这里着重讨论新一代大功率新型器件,即精心研究开发的MOS门极晶闸管。 本文就目前为止提出的有代表性的MOS门极晶闸管,介绍了特别引人注目的以MCT为中心的最新开发状况。

针对场截止型功率器件的多重质子注入研究

针对场截止型功率器件的开发,进行了质子在硅中多重注入的关键工艺研究。质子注入后经过400℃的退火激活,在硅衬底中形成了n型掺杂。当注入能量分别为0.5 MeV、0.8 MeV和1.15 MeV时,对应的浓度峰值位置分别集中在6.0μm、11.5μm和19.6μm附近。对注入后的载流子浓度分布进行拟合,发现单次注入的杂质分布近似于高斯分布函数。通过对比,发现质子注入后的载流子浓度分布接近英飞凌IGBT的场截止层浓度分布。本研究为下一步确定场截止型器件的工艺条件提供了重要的参考。

具有低能耗的场截止型IGBT研究

开发出场截止型IGBT并深入研究了场截止型IGBT的核心技术和关键工艺.相比非穿通型IGBT,通过场截止层的形成,芯片厚度降至105 μm,器件导通压降低于2V,关断时间小于250 ns,电学性能得到了显著提高.IGBT应用于电磁炉,在不同功率下的管壳温升为25℃～35℃,远低于非穿通型IGBT,达到了更低的能量损耗.