半加成工艺中去钻污过程对剥离强度的影响

阐述去钻污作为半加成工艺中关键的一个步骤,需要保证介质材料和铜层间的结合力在工艺完成后不会下降。通过拉力测试以及扫描电子显微镜、飞行时间二次离子质谱、X射线光电子能谱表征,分析去钻污工艺对样品树脂和铜层间的剥离强度的影响机制。结果表明,样品的失效模式为树脂的内聚破坏,经过去钻污工艺后树脂表面的孔洞发生破损,导致Mn、Cu等离子渗透进树脂内部,对树脂基体产生氧化作用从而降低树脂的内聚力。因此在实际生产中需要调整药水浓度等参数,防止破孔的发生。

半加成工艺中薄化铜后烘烤对剥离强度的影响

近年来,半加成法成为了一种新的印制电路板的线路制作工艺,但其存在树脂与铜箔间的剥离强度不高的问题。通过拉力测试以及扫描电子显微镜、红外光谱、X射线光电子能谱(XPS)的表征,探究了BT树脂基板在薄化铜后进行烘烤对树脂剥离强度的影响。研究结果表明,板材的失效模式是树脂的内聚破坏,经过烘烤后树脂与增强颗粒间的结合力下降,树脂本身会受到铜离子催化氧化的影响,结构发生改变,导致强度降低。对失效机理的研究为半加成法提供了改进思路。

封装基板中溅射纳米Ti层的微结构

研究了高密度封装基板中纳米溅射Ti层的微结构及其在无铅回流焊工艺中的稳定性。运用扫描电子显微镜(SEM)、聚焦离子束(FIB)研究了实际基板中的溅射Ti层的形貌及结构。X射线衍射(XRD)结果表明溅射Ti层为非晶态。透射电镜(TEM)结果表明溅射Ti层厚度约30 nm,整体而言厚度均匀,对衬底覆盖完全;其形貌受衬底影响显著,衬底晶界处存在台阶、凹陷、突起和陡坡等结构,会对应导致不同类型的Ti层结构缺陷。X射线衍射研究结果表明随着无铅焊回流次数增加,溅射Ti层有一定程度的晶化,但主要还是非晶态,说明其结构在无铅回流焊工艺条件下比较稳定。

高密度封装基板镀层酸蚀针孔的形成机理及优化方案的研究

本文研究了封装基板经酸蚀减薄后镀铜层出现麻点的失效情况,通过金相显微镜、扫描电镜、能谱分析仪、氩离子截面抛光仪等宏微观测试方法和表征手段,对封装基板电镀铜层的生长过程和针孔的形成过程进行了分析论述,发现在正常的电镀工艺中会随机出现一些铜晶粒缺陷,酸蚀过程中异常晶粒整体脱落,导致麻点的产生.缺陷会造成腐蚀速度的不均匀,并引发毛细增溶效应,对此我们提出改进方案,在腐蚀液中添加半胱氨酸等铜离子的配体化合物,可使铜离子不同晶面的溶解速度发生改变,留下慢溶晶面,使针孔现象不容易发生,实验结果表明针孔数目明显减少,优化方案的改进效果显著.