S波段高效率内匹配功率放大器设计

氮化镓(Ga N)作为新一代半导体材料,具有输出功率大和效率高等特点,因此,Ga N微波功率器件成为近几年研究的热点。随着Ga N功放管的功率不断提高,以Ga N为基础的微波功率器件在应用上取得了很大的进步。本文针对Ga N功放管的特点和现状进行了介绍,利用二次谐波控制技术和功率合成技术设计了S波段高效率内匹配功率放大器。电路采用南京电子器件研究所自主研发的栅宽为12mm的Ga N HEMT,设计的内匹配功率放大器在2.7~3.5GHz频带内,输出功率大于47d Bm,功率增益大于10d B,功率附加效率达到70%。