Cu-In合金硒化法制备CuInSe_2薄膜

采用三电极体系恒电压电沉积法制备了Cu-In薄膜,经硒化退火生成CuInSe2薄膜。采用循环伏安法研究了电沉积Cu-In的循环伏安特性,确定其最佳沉积电位在-0.75V左右,Cu与In的化学计量比为1.1,达到了理想前驱体的Cu与In的化学计量比。研究了不同沉积电位下材料组成、结构与性能的影响。硒化后,Cu与In的化学计量比为1.1时形成了比较单一的CuInSe2黄铜矿相结构。

硫酸盐体系中铟在玻璃碳电极上的电化学成核机理

关于硫酸盐体系中镀铜的沉积机理少见报道,采用循环伏安法和计时电流法研究了铟在硫酸盐体系中电沉积的循环伏安特性与电结晶机理。通过分析恒电位暂态曲线,求出铟离子的扩散系数D和不同电压下的晶核密度N0。结果表明:铟的电沉积没有经历欠电位沉积过程,而是经历了晶核形成过程,其电沉积反应是一个不可逆过程;在外加电位范围内铜的电结晶按照瞬时成核方式和三维生长方式进行。

Cu-In系中Cu_(11)In_9相的生长动力学研究

采用电沉积方法在Cu基底上制备一层In薄膜得到Cu-In扩散偶。将扩散偶在T=453K、503K和553K时分别进行t=20min、40min、60min和90min的热处理。实验结果表明,在Cu-In扩散偶界面形成了不同厚度的金属间化合物层Cu_(11)In_9相;将Cu_(11)In_9相的厚度与热处理时间的关系按经验公式进行拟合,得到比例常数k和生长速率时间指数n;k和n值的大小表明,金属间化合物Cu_(11)In_9相层的生长速率受扩散和固态铜在液态铟中的溶解共同控制。