激光频率对用PLD法生长氧化锌薄膜特性的影响

用脉冲激光沉积法(PLD)在硅(100)衬底上制备了c轴取向的高质量的ZnO薄膜.分析了不同激光频率下薄膜的结晶状况,通过对薄膜的PL谱的测试,分析了不同激光频率下薄膜的发光特性状况,同时进行了薄膜结构的测试.结果显示:激光频率为3 Hz的样品结晶质量较高,具有很高的c轴择优取向,同时发光性能达到相对优化.

ZnO薄膜的物理性质与制备方法研究

ZnO为Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,是一种极具潜力的新型功能材料。给出了ZnO薄膜的主要物理性能,并对制备方法作了比较详尽的介绍,包括激光脉冲沉积法、磁控溅射法、金属有机物化学气相沉积法、溶胶凝胶法、喷雾热解法、分子束外延法、原子层外延生长法。

氧压对用PLD法生长氧化锌薄膜的电学特性的影响

本文研究了用脉冲激光沉积（PLD）法制备ZnO薄膜，给出了在不同氧压下生长氧化锌（ZnO）薄膜的XRD谱、表面的AFM图以及电阻率、迁移率、载流子浓度以及导电类型等电学特性，为探索制备P型ZnO薄膜提供实验依据。