一种提高SRAM写能力的自调节负位线电路设计

静态随机存取存储器(SRAM)作为微处理器的重要功耗和面积来源,其工作电压和电路尺寸不断减小,然而工艺误差和低电源电压会严重影响存储器的数据写入能力。针对这个问题,基于标准6管SRAM电路提出了一种自调节负位线技术,可以根据SRAM存储单元的写入情况自动调节至适当的负位线电压,在保障数据成功写入的前提下,有效延长数据存取管寿命和降低电流功耗开销。本设计采用HLMC28nm工艺平台进行验证,仿真结果表明,设计的电路能有效改善SRAM存储单元的写能力,在电源电压降低到0.63V时仍能正常工作,并且与传统负位线电路相比,SRAM数据存取管寿命可提升约5到9倍,在电源电压向上波动时功耗可降低约60%。