二阶段热压烧结工艺对WC-MgO复合材料组织和力学性能的影响

二阶段烧结是一种通过控制烧结温度变化以实现烧结样品致密化过程中抑制晶粒长大的烧结方法。以高能球磨法制备的纳米WC-MgO复合粉末为原料,并采用二阶段热压烧结法制备WC-MgO复合材料。研究二阶段热压烧结对烧结块体的致密度、晶粒大小和力学性能的影响,优化二阶段烧结中第一阶段温度t1、第二阶段温度t2及保温时间θ等工艺参数,采用XRD和SEM对复合材料的组织形貌进行表征。结果表明:当t1为1 750℃,t2为1 550℃时能使WC-MgO复合材料的致密度达到99%(理论密度),基体WC晶粒大小为2.59μm,WC-MgO复合材料的维氏硬度提高到(18.4±0.5)GPa,WC-MgO复合材料的断裂韧性提升至(12.95±0.5)MPa.m1/2,WC-MgO复合材料的抗弯强度提高至(1 283.7±126.6)MPa。

镍锌比和BSZ玻璃对NiCuZn铁氧体组织与性能的影响

采用固相合成法制备了NiCuZn铁氧体材料,研究了原材料中氧化镍与氧化锌的摩尔比和添加不同含量BSZ(B2O3-Si O2-ZnO)玻璃成分对NiCuZn铁氧体组织与性能的影响,重点考察了对该材料直流偏置特性的影响。结果表明,随着增加镍锌比,所制NiCuZn铁氧体的相对磁导率逐渐下降,但在镍锌比摩尔为1.1时,具备较高的饱和磁感应强度和良好的耐直流冲击性能;随着BSZ玻璃添加量的增加,NiCuZn铁氧体材料的烧结致密度和相对磁导率都单调下降,但对直流偏置特性呈现不同程度的影响。

TiB_2靶材及涂层的制备

采用Ti粉和B粉燃烧合成制备了TiB2粉末,将所得粉末真空热压后得到TiB2磁控溅射靶材,并用射频溅射方法在不锈钢基片上沉积了TiB2涂层。采用XRD法检测了靶材和涂层的相结构组成;测试了涂层的显微硬度、干摩擦磨损性能。结果表明:靶材和涂层都由TiB2单相组成;与没有涂层的基片相比,TiB2涂层大幅度地提高了基片的硬度和耐磨性。

微波烧结与传统烧结合成的NiCuZn铁氧体组织与性能

采用固相合成法制备了Ni Cu Zn铁氧体材料,对比研究了传统烧结与微波烧结工艺对Ni Cu Zn铁氧体材料的致密化行为、显微结构、磁滞回线和直流偏置特性的影响。结果表明,在微波烧结方式中,材料的致密化曲线向低温方向偏移,烧结致密度得到提高,晶粒尺寸显著增大;对比于传统烧结,微波烧结材料的饱和磁感应强度从312m T提高至479m T,起始磁导率从65提升至170,但在叠加直流偏置电流为3A时,磁导率下降幅度从28.5%增至48.4%。

磁控溅射法制备Zn_(1-x)Co_xO薄膜的磁性能

采用磁控溅射工艺,在玻璃基片上制备了Zn1-xCoxO（x=0.02～0.15）稀磁半导体薄膜。采用X-射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、原子力显微镜（AFM）、振动样品磁强计（VSM）研究了薄膜的相结构、化学成分及价态、表面形貌和磁性能。结果表明,本实验条件下,薄膜不存在Co及Co的氧化物相,薄膜中Zn的化学价为＋2,Co则以＋2和＋4价的形式存在;薄膜晶体结构为c轴取向生长的六方纤锌矿结构;薄膜表面平整致密。在温度为300 K时,Zn0.9Co0.1O薄膜呈铁磁效应,在M-H曲线中观测到明显的磁滞回线特征。

预烧温度对NiCuZn铁氧体材料显微组织及直流偏置特性的影响

采用激光粒度分析仪、XRD、SEM等分析手段,测试研究了预烧温度对Ni Cu Zn铁氧体物相组织、烧结显微组织和直流偏置特性的影响。结果表明:当预烧温度较低时,固相反应不完全,致使铁氧体中残留Cu O,晶粒生长不均匀;提高预烧温度能够细化Ni Cu Zn铁氧体的晶粒,并改善其直流偏置特性;当预烧温度在850℃时,能够获得较高的初始磁导率和较好的直流偏置特性。

La_2O_3含量对无压烧结制备WC-MgO复合材料的影响

以WC和MgO为原料,先采用高能球磨法制备WC-MgO复合粉末,之后采用无压烧结法制备WC-MgO复合材料,进而研究稀土氧化物(La2O3)的添加量对无压烧结制备的该复合材料微观组织和力学性能的影响及机理。结果表明:La2O3的加入量为0.2wt%时,可抑制烧结过程中发生的脱碳现象,并能细化烧结组织,提高WC和增韧颗粒分布的均匀性;该材料的烧结致密度可达到92.77%,维氏硬度可达15.14 GPa,断裂韧性可达到9.73 MPa·m1/2;添加过量La2O3(≥0.3wt.%)则会使复合材料的致密度和力学性能降低。

电流密度对叠层片式磁珠的电镀效果的影响

以2012型的叠层片式磁珠作为研究对象,研究分析了电镀过程中电流密度对磁珠的镀层形貌、显微结构及电性能一致性的影响。结果表明,当镀Ni电流较小时,Ni层易附着在磁体端银上扩散,影响产品的外观。当镀Sn电流较大时,Sn层晶核在磁体表面迅速形成并快速生长,出现Sn层的严重扩散。配合采用较大镀镍电流(10 A)和较小镀锡电流(6 A)有利于防止端头镀层的扩散,改善产品外观形貌、并有助于提高阻抗一致性。