贵金属化学气相沉积的研究进展

简要介绍了贵金属薄膜和涂层材料化学气相沉积(CVD)技术的研究进展,包括贵金属的CVD制备方法、沉积贵金属的各种前驱体化合物以及CVD制备的贵金属薄膜和涂层的应用状况等。

化学气相沉积制备铂族金属涂层及难熔金属

综述了化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,简称CVD)技术制备高温抗氧化涂层—铂族金属(Pt、Ir)涂层及难熔金属(W、Mo、Ta、Nb、Re)的方法。并对部分有报道的沉积参数以及沉积参数对沉积层结构及性质的影响进行了介绍。

MOCVD制备的Pt/C薄膜的结构与性能研究

以乙酰丙酮铂为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)法在石英及YSZ基体上制备Pt/C薄膜,研究了Pt/C薄膜的结构和电化学性能。沉积过程中通入一定量的氧气可以大幅降低Pt/C薄膜中的含C量,含C较高的Pt/C薄膜的XRD谱线低而宽,具有非晶态衍射特征。在500℃测量温度下,以Pt/C薄膜为电极的YSZ氧气浓差电池的电动势及电流输出高于传统的Pt电极。

MOCVD法制备Ir/C簇膜的成分与结构研究

以乙酰丙酮铱为前驱体,采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术在石英片上沉积了Ir/C簇膜。研究了氧气流量及沉积温度对Ir/C簇膜成分和结构的影响。研究发现,少量氧气的加入(4mL/min)大幅度地降低了Ir/C簇膜中碳元素的含量;沉积温度对薄膜中碳含量的影响规律则比较复杂:未通氧气的情况下,在实验温度范围内碳含量随着温度的升高而增大,而在通入氧气的情况下碳含量呈现出先升后降的复杂变化趋势。大量碳的沉积宽化了Ir的衍射峰,使其具有非晶衍射的特征。当沉积温度为650℃,未通氧气沉积的Ir/C簇膜中铱晶粒粒经约为3nm。

塑性高温活性钎料的研究

根据液相线温度t≥ 110 0℃、冷变形总量ε总 ≥ 40 %要求设计了PdNiTi系、AuPdNiTi系列高温活性钎料 ,对 2种钎料系列的熔化特性、加工性能、润湿性进行了实验研究 .结果表明 :PN - 2 ,APN - 2高温活性钎料具有良好的塑性变形能力 ,对结构陶瓷具有优异的润湿性 ,可直接钎焊结构陶瓷和结构陶瓷

电真空器件用贵金属钎料溅散性影响因素

对电真空钎料溅散性的各种影响因素进行分析对比 .结果表明 ,影响电真空钎料溅散性的主要原因是原料中含有氧、回炉料中含有CuO和Cu2 O ;采用 2～

电化学除油在电真空焊料生产中的应用

电真空器件对钎料有清洁性要求 ,影响贵金属钎料清洁性的主要原因是加工过程的油污 .