因应新时代电子产品的需求,透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxides,TCO)的应用也更加广泛,传统上是使用氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜为透明导电薄膜,但其在高温应用上较不稳定并且易放出毒性,因此,铝掺杂氧化...因应新时代电子产品的需求,透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxides,TCO)的应用也更加广泛,传统上是使用氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜为透明导电薄膜,但其在高温应用上较不稳定并且易放出毒性,因此,铝掺杂氧化锌薄膜(ZnO:AI,AZO)有逐渐取代ITO的趋势。本论文将探讨掺杂不同铝含量的影响,并且就其光电特性加以说明,最后得到其光的透过率-85%、电阻率-7.3×10^-3Ω·cm以及面粗糙度-28nm的铝掺杂氧化锌薄膜,其具有表面粗化、电流分布层及窗口层的作用。并且将掺铝的氧化锌薄膜应用于氮化镓发光二极管上,以掺铝氧化锌微结构作为透明传导层的氮化镓发光二极管(λD=530nm,300×300μm)在20mA的工作电流下,其正向电压值为3.3V,输出功率达1.7mW,并且由光学显微镜图可以得知,小电流注下其电流分布均匀。若将AZO制作参数再作适当优化调整,取代ITO作为P型氮化镓上的透明传导层的可行性应该很高。展开更多
文摘因应新时代电子产品的需求,透明导电薄膜(Transparent Conductive Oxides,TCO)的应用也更加广泛,传统上是使用氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜为透明导电薄膜,但其在高温应用上较不稳定并且易放出毒性,因此,铝掺杂氧化锌薄膜(ZnO:AI,AZO)有逐渐取代ITO的趋势。本论文将探讨掺杂不同铝含量的影响,并且就其光电特性加以说明,最后得到其光的透过率-85%、电阻率-7.3×10^-3Ω·cm以及面粗糙度-28nm的铝掺杂氧化锌薄膜,其具有表面粗化、电流分布层及窗口层的作用。并且将掺铝的氧化锌薄膜应用于氮化镓发光二极管上,以掺铝氧化锌微结构作为透明传导层的氮化镓发光二极管(λD=530nm,300×300μm)在20mA的工作电流下,其正向电压值为3.3V,输出功率达1.7mW,并且由光学显微镜图可以得知,小电流注下其电流分布均匀。若将AZO制作参数再作适当优化调整,取代ITO作为P型氮化镓上的透明传导层的可行性应该很高。