基于SRL结构的抗辐射SRAM单元设计

在空间辐射环境中,单粒子翻转(SEU)效应严重影响了SRAM的可靠性,对航天设备的正常运行构成极大的威胁。提出了一种基于自恢复逻辑(SRL)结构的新型抗辐射SRAM单元,该单元的存储结构由3个Muller C单元和2个反相器构成,并采用读写线路分开设计。单粒子效应模拟实验结果表明,该单元不仅在静态存储状态下对SEU效应具有免疫能力,在读写过程中对SEU效应同样具有免疫能力。

基于SRAM软错误失效概率的交织距离选择模型

在静态存储器(SRAM)抗辐射加固设计中,单错误纠错码(SEC)联合交织是解决空间SRAM多比特翻转(MBU)的有效方法。交织距离(ID)的选择应当使MBU分布在不同的物理字中,ID越大,电路实现越复杂,功耗和面积也越大。基于SRAM在空间产生的MBU错误图样以及数目,在已有的ID选择模型上进行修正,提出了一种精确的评估模型。