水热法制备不同形貌二硫化钼及其电化学电容性能

以水热法制备不同形貌的二硫化钼电极材料,研究材料形貌对其电化学性能的影响.采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)和拉曼光谱(Raman)对制备的二硫化钼进行形貌、成分、结构表征,采用循环伏安法和恒电流充放电法测定纳米二硫化钼作为电极材料的电化学性能.结果表明:制备的不同形貌的二硫化钼中镂空网状二硫化钼的比电容高于三维花状二硫化钼以及空心球状二硫化钼和块状二硫化钼的比电容.三维花状二硫化钼和镂空状二硫化钼作为超级电容器的电极材料,具有较好的电化学电容性能,在电流密度为1A/g、1mol的Na_2SO_4电解液中其比电容分别达到203、259F/g.

化学气相沉积法制备单层二硫化钼的研究进展

单层二硫化钼(MoS2)是禁带宽度为1.8eV的二维直接带隙半导体材料,因其优异的物理化学特性广泛应用于纳米电子器件、传感器、能源、生物医药等多个领域,成为二维材料研究的新热点,但是高质量、产业化制备单层MoS2还面临着很大的困难。本文主要综述了化学气相沉积(CVD)制备单层MoS2薄膜的方法,讨论了该方法在国内外的研究现状及其优缺点,最后展望了制备单层MoS2的发展前景,认为应该朝着可控、低成本、大规模制备单层MoS2的方向改进工艺。

Co含量和微裂纹对WC喷嘴抗激光冲击性能的影响

以激光喷射锡球键合时使用的抗激光冲击性能存在明显差异的WC喷嘴为研究对象,借助扫描电子显微镜/能量色散X射线光谱仪对比观察了微观组织及成分之间的差异,结合材料与光束相互作用理论,研究了Co含量和微裂纹影响WC喷嘴抗激光性能的微观机制。测试结果显示,WC颗粒尺度、贯通状微裂纹和金属黏结剂Co含量存在明显不同。分析表明:因烧结压强过大引起的贯通状微裂纹会对激光产生“光陷”现象,并在其周围形成温度较高的热影响区,该区域内熔点较低的Co易于熔化;在喷嘴小孔前端热影响区附近,熔化后的Co和锡球容易发生冶金反应,形成沾锡,严重时喷嘴失效;裂纹越严重、Co含量越高,WC喷嘴的抗激光冲击性能越差。由此可知,降低Co含量和烧结压强,可以有效改善喷嘴的抗激光冲击性能。