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p型GaSb单晶研制 被引量:4
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作者 邓志杰 郑安生 +1 位作者 武希康 屠海令 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期215-217,共3页
GaSb单晶是制备光电器件的重要衬底材料。GaSb价带自旋轨道的分裂可以得到使空穴离化系数增大的能级,明显改善了波长大于1.3μm的APD的信噪比。其它如AlGaSb APD、GaAlAsSb LED与LD、AlSb/GaSb超晶格、高度电子器件InAs/GaSb超晶格、低... GaSb单晶是制备光电器件的重要衬底材料。GaSb价带自旋轨道的分裂可以得到使空穴离化系数增大的能级,明显改善了波长大于1.3μm的APD的信噪比。其它如AlGaSb APD、GaAlAsSb LED与LD、AlSb/GaSb超晶格、高度电子器件InAs/GaSb超晶格、低阈值HET、FET、HBT等器件也采用GaSb为衬底。此外。 展开更多
关键词 P型 GASB 单晶
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MLEC锑化镓单晶性能研究 被引量:2
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作者 邓志杰 郑安生 +1 位作者 屠海令 武希康 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期401-404,共4页
首次报道了在水平磁场中采用LEC工艺(MLEC)生长锑化镓单晶,磁场强度为0.05~0.32T(坩埚中心处),且连续可调,所用覆盖剂为等摩尔比的NaCl+KCl混合物,覆盖厚度2~5mm,拉速0.3~1.5cm/h。... 首次报道了在水平磁场中采用LEC工艺(MLEC)生长锑化镓单晶,磁场强度为0.05~0.32T(坩埚中心处),且连续可调,所用覆盖剂为等摩尔比的NaCl+KCl混合物,覆盖厚度2~5mm,拉速0.3~1.5cm/h。生长方向〈100〉;对MLEC和LEC样品进行质谱分析,研究磁场强度与晶体性能的关系,在非掺杂MLEC样品的PL谱中观察到明显的自由激子峰。这些结果表明,MLEC样品中电学参数的纵向分布比LEC晶体更均匀;MLEC样品中(重掺碲)77K电子迁移率高于LEC晶体; 展开更多
关键词 MLEC 锑化镓 单晶 磁场
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水平磁场中 GaSb 单晶的生长 被引量:1
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作者 邓志杰 郑安生 +1 位作者 武希康 屠海令 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期467-469,共3页
GaSb 单晶是制备三、四元含锑化合物、Ⅲ-Ⅴ族合金及超晶格等材料的重要衬底材料。用 GaSb 单晶为衬底研制的 GaAs/GaSb 迭层太阳能电池转换效率超过30%,是目前转换效率最高的太阳能电池。
关键词 单晶 GASB 磁场 生长
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MLEC GaSb单晶的光致发光谱
4
作者 郑安生 邓志杰 +2 位作者 武希康 屠海令 钱佑华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期158-160,116,共4页
MLECGaSb单晶的光致发光谱郑安生,邓志杰,武希康,屠海令,钱佑华(北京有色金属研究总院100088)(复旦大学)关键词:MLEC,GaSb,光致发光谱(一)前言由于GaSb单晶是制备2~4μm波段光电器件 ̄[1... MLECGaSb单晶的光致发光谱郑安生,邓志杰,武希康,屠海令,钱佑华(北京有色金属研究总院100088)(复旦大学)关键词:MLEC,GaSb,光致发光谱(一)前言由于GaSb单晶是制备2~4μm波段光电器件 ̄[1、2]以及GaAs/GaS6高效迭... 展开更多
关键词 光致发光谱 锑化镓 单晶 半导体 光电器件
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Characterization of MLEC GaSb Crystal 被引量:1
5
作者 屠海令 邓志杰 +1 位作者 郑安生 武希康 《Rare Metals》 SCIE EI CAS CSCD 1998年第1期2-5,共4页
オhe magnetic liquid encapsulated Czochralski (MLEC) growth of GaSb crystal under the horizontal field has been reported. Magnetic field strength is 0.05~0.32 T at the center of the crucible and can be adjusted conti... オhe magnetic liquid encapsulated Czochralski (MLEC) growth of GaSb crystal under the horizontal field has been reported. Magnetic field strength is 0.05~0.32 T at the center of the crucible and can be adjusted continuously. The encapsulatent with a thickness of 2~5 mm is a KCl+NaCl (1∶1 in mole) melt. Mass spectrograph has been used to analyze both MLEC and LEC samples. The relationship between crystal properties and magnetic strength has been studied and the free exciton peak observed in the PL spectra of an undoped MLEC sample. The above results show that the distribution of electric parameters along the longitudinal MLEC crystals is more uniform than that of LEC ones. The electronic mobility of Te doped MLEC samples at 77 K is higher than that of LEC crystals. It is found that the presence of a horizontal magnetic field during crystal growth can reduce the impurity content in MLEC samples. 展开更多
关键词 MLEC GaSb crystal Magnetic field Photoluminescence (PL)
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