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SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
1
作者
张志国
冯震
+3 位作者
武继宾
王勇
蔡树军
杨克武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1112-1114,共3页
使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时...
使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时连续波输出功率大于10 W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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关键词
GAN
微波单片集成电路
大信号模型
输出功率
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职称材料
题名
SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
1
作者
张志国
冯震
武继宾
王勇
蔡树军
杨克武
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家级重点实验室
西安电子科技大学微电子学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期1112-1114,共3页
基金
国家重点实验室基金项目(9140C0605010702)
文摘
使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC,研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片,连续波测试显示,频率为9.1~10.1 GHz时连续波输出功率大于10 W,带内增益大于12 dB,增益平坦度为±0.2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
关键词
GAN
微波单片集成电路
大信号模型
输出功率
Keywords
GaN
MMIC
large-signal model
output power
分类号
TN455 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
SiC衬底X波段GaN MMIC的研究
张志国
冯震
武继宾
王勇
蔡树军
杨克武
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
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