硅通孔三维互连与集成技术

随着电子技术的高速发展,更高密度、更小型化、更高集成化以及更高性能的封装需求给半导体制造业提出了新的挑战。由于物理限制,芯片的功能密度已达到二维封装技术的极限,不能再通过减小线宽来满足高性能、低功耗和高信号传输速度的要求;同时,开发先进节点技术的时间和成本很难控制,该技术的成熟需要相当长的时间。摩尔定律已经变得不可持续。为了延续和超越摩尔定律,芯片立体堆叠式的三维硅通孔(TSV)技术已成为人们关注的焦点。综述了TSV结构及其制造工艺,并对业内典型的TSV应用技术进行了分析和总结。

[Ag14]异构引发的纺锤形Ag58团簇的形成

原子精确的纳米硫银团簇由于其迷人的结构特征和潜在的应用价值而受到研究者的广泛关注.本工作通过溶液自组装的方法合成了两个新型核壳结构的硫银团簇[Ag56S12(tBuS)20(CF3CO2)12]•6CH3CN•8H2O(Ag56)和[Ag58S12-(tBuS)20(CF3CO2)14(CH3CN)6]•6CH3CN(Ag58).单晶XRD结构表征表明两个硫银团簇的内部均包裹着Ag14单元:Ag56中Ag14内核单元为常见菱形十二面体结构,而Ag58中Ag14内核单元为罕见的纺锤形结构.Ag14内核单元的异构引起了两个硫银团簇外壳结构和形貌的变化,相比于Ag56中12个Ag6环形结构单元相互连接形成的球状外壳,Ag58的外层银原子按照“Ag4-Ag8-Ag10-Ag10-Ag8-Ag4”层状分布的方式形成了纺锤形外壳.紫外-可见吸收光谱和荧光光谱研究表明,硫银团簇Ag56和Ag58结构的差异对其能级以及荧光性质都会产生影响.本工作中两个新型硫银团簇的成功分离丰富了硫银团簇的研究体系和结构类型,并为进一步探究硫银团簇的形成过程和性质提供了新的思路.