同步整流电路中SGT MOSFET尖峰震荡的优化设计

针对同步整流电路中屏蔽栅沟槽型场效应晶体管(Shielded Gate Trench Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor,SGT MOSFET),在工艺加工过程中形成的热氧结构导致控制栅极电压尖峰震荡幅度大、电路能量转换效率低等问题,提出了一种SGT MOSFET电压尖峰震荡的优化设计。采用电路仿真的方法,以分析电容对电路电压开关震荡的影响;采用拉偏结构参数的方法,以确定器件的工艺参数;采用增加湿法刻蚀屏蔽栅多晶硅和注入多晶硅两道工艺的方法,以消除热氧结构,减小器件电容,从而减小器件在电路中的电压尖峰震荡幅度和时间,提升电路的能量转换效率。实验结果表明,优化设计后的栅漏电容减小了约43%,控制栅极电压的尖峰震荡降低了约56%,电路能量转换效率提升了约4.6%,器件剖面扫描电镜(Scanning Electron Microscope,SEM)图表明,所提设计方法可以消除SGT MOSFET的热氧结构。

碳化硅半导体材料应用及发展前景

科技的发展促进了各行各业应用技术的创新与进步。近年来,世界范围内的新材料研发一直是科研热点所在。运用新兴的物理材料不仅能够改善特定领域的传统应用与发展方式,还能够极大程度的提升生产、制造等实际应用角度的效率。本文主要针对碳化硅半导体材料的本质属性,新材料特点和优势展开讨论与分析,结合碳化硅材料的应用背景及其在半导体行业的主导性地位进行研究,为新型半导体材料的研发与实际应用提供一定参考依据。