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A 9% efficiency of flexible Mo-foil-based Cu2ZnSn(S,Se)4 solar cells by improving CdS buffer layer and heterojunction interface 被引量:2
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作者 孙全震 贾宏杰 +9 位作者 程树英 邓辉 严琼 段碧雯 张彩霞 郑巧 杨志远 罗艳红 孟庆波 黄淑娟 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第12期573-582,共10页
Flexible Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)solar cells show great potential applications due to low-cost,nontoxicity,and stability.The device performances under an especial open circuit voltage(VOC)are limited by the defect recom... Flexible Cu2ZnSn(S,Se)4(CZTSSe)solar cells show great potential applications due to low-cost,nontoxicity,and stability.The device performances under an especial open circuit voltage(VOC)are limited by the defect recombination of CZTSSe/CdS heterojunction interface.We improve the deposition technique to obtain compact CdS layers without any pinholes for flexible CZTSSe solar cells on Mo foils.The efficiency of the device is improved from 5.7%to 6.86%by highquality junction interface.Furthermore,aiming at the S loss of CdS film,the S source concentration in deposition process is investigated to passivate the defects and improve the CdS film quality.The flexible Mo-foil-based CZTSSe solar cells are obtained to possess a 9.05%efficiency with a VOC of 0.44 V at an optimized S source concentration of 0.68 mol/L.Systematic physical measurements indicate that the S source control can effectively suppress the interface recombination and reduce the VOCdeficit.For the CZTSSe device bending characteristics,the device efficiency is almost constant after1000 bends,manifesting that the CZTSSe device has an excellent mechanical flexibility.The effective improvement strategy of CdS deposition is expected to provide a new perspective for promoting the conversion efficiency of CZTSSe solar cells. 展开更多
关键词 flexible solar cells CdS deposition heterojunction interface defect passivation
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基于原子无序和深缺陷态分析铜锌锡硫硒太阳能电池效率损失的机理 被引量:4
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作者 段碧雯 石将建 +3 位作者 李冬梅 罗艳红 吴会觉 孟庆波 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2020年第12期2371-2396,共26页
铜锌锡硫硒(CZTSSe)是具有前景的薄膜光伏材料,但目前其太阳能电池的效率仍受限于较大的开路电压损失.近年来,研究者们对CZTSSe太阳能电池效率损失的机理进行了一系列研究,但尚未有令人信服的结论.本综述对有关CZTSSe太阳能电池效率损... 铜锌锡硫硒(CZTSSe)是具有前景的薄膜光伏材料,但目前其太阳能电池的效率仍受限于较大的开路电压损失.近年来,研究者们对CZTSSe太阳能电池效率损失的机理进行了一系列研究,但尚未有令人信服的结论.本综述对有关CZTSSe太阳能电池效率损失的潜在机理的研究结果进行了系统的总结和分析.讨论了CZTSSe材料中原子无序和深能级缺陷态的特征及其对器件性能的影响.提出了协同效应以辅助理解吸收层中缺陷态相关的电荷损失.此外,总结了缺陷态识别和调控的实验方法,并试图找到可导致CZTSSe中极短的少子寿命的关键缺陷态.通过全面和辩证地理解CZTSSe太阳能电池的缺陷特性,我们相信在研究人员的不懈努力下电池效率将很快有新的突破. 展开更多
关键词 太阳能电池 电池效率 开路电压 铜锌锡硫硒 缺陷态 少子寿命 深能级缺陷 吸收层
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铜锌锡硫硒薄膜太阳能电池一价金属替位的研究进展 被引量:3
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作者 周家正 徐啸 +5 位作者 段碧雯 石将建 罗艳红 吴会觉 李冬梅 孟庆波 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2021年第3期303-318,共16页
铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池具有组成元素丰度高且环境友好、光吸收系数高、带隙可调、高稳定性等优点,是一类非常有发展前景的新型薄膜太阳能电池.目前,CZTSSe电池最高认证效率为12.6%,与商品化铜铟镓硒(CIGS)电池相比仍然有较大差距,特别... 铜锌锡硫硒(CZTSSe)电池具有组成元素丰度高且环境友好、光吸收系数高、带隙可调、高稳定性等优点,是一类非常有发展前景的新型薄膜太阳能电池.目前,CZTSSe电池最高认证效率为12.6%,与商品化铜铟镓硒(CIGS)电池相比仍然有较大差距,特别是开路电压(VOC)和填充因子(FF)偏低.开压损耗是制约CZTSSe器件效率进一步提升的关键因素之一.其中,吸收层带尾态和深能级缺陷及界面能级不匹配是开压损耗大的主因,而Cu-Zn无序引起的铜锌替位(CuZn)与锌锡替位(SnZn)缺陷又是影响带尾态的关键因素,因此,减少CuZn和SnZn缺陷有助于提升VOC.一价金属替位能有效改善带尾态、构建合适能带结构,在一定程度上解决器件开压损耗问题.但是,有关一价金属替位如何影响CZTSSe电池性能,仍然缺乏全面系统的概述.本文综述了基于一价金属替位方法CZTSSe电池的研究进展.首先介绍CZTSSe电池的发展历程、工作原理、制备工艺和关键材料等;其次,详细讨论一价金属替位的理论研究;再次,结合实验进展,重点讨论一价金属部分替位及完全替位CZTSSe材料的制备及其对带尾态、界面缺陷和能带结构研究;最后,对一价金属替位研究的关键科学问题、未来发展潜力等进行讨论和展望,并提出可能的解决思路. 展开更多
关键词 铜锌锡硫硒 CuZn反位缺陷 一价金属替位 晶体生长 带尾态
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铜锌锡硫硒太阳电池水性前驱体溶液中的配位调控 被引量:6
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作者 郭林宝 石将建 +9 位作者 于晴 段碧雯 徐啸 周家正 吴炯桦 李玉胜 李冬梅 吴会觉 罗艳红 孟庆波 《Science Bulletin》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第9期738-746,M0004,共10页
水性前驱体溶液法在制备半导体薄膜材料,尤其是新型铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜方面,极具成本和环保优势.本文利用巯基乙酸分子配体制备CZTSSe水性前驱溶液,并系统研究了该体系中的配位化学机制.通过去质子化过程,对金属-巯基乙酸的配位结... 水性前驱体溶液法在制备半导体薄膜材料,尤其是新型铜锌锡硫硒(CZTSSe)薄膜方面,极具成本和环保优势.本文利用巯基乙酸分子配体制备CZTSSe水性前驱溶液,并系统研究了该体系中的配位化学机制.通过去质子化过程,对金属-巯基乙酸的配位结构进行了调控,实现了金属阳离子与巯基阴离子充分配位,从而释放了亲水的羧基以形成稳定的水性溶液.最终,作者制备出了光电转换效率达到12.3%(认证效率12.0%)的CZTSSe太阳电池,是目前非联胺体系中的最高效率.本工作是CZTSSe电池在溶液法制备上的一个显著进步,对于CZTSSe及其他金属硫化物光伏电池的发展具有重要意义. 展开更多
关键词 光电转换效率 太阳电池 光伏电池 铜锌锡硫硒 巯基乙酸 金属硫化物 金属阳离子 配位结构
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原位制备MoO_3薄膜提高铜锌锡硫硒太阳能电池背界面接触性能(英文) 被引量:4
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作者 闵雪 郭林宝 +6 位作者 于晴 段碧雯 石将建 吴会觉 罗艳红 李冬梅 孟庆波 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2019年第6期797-802,共6页
在空气中对钼基底进行退火处理,在钼表面形成MoO_3薄层.该MoO_3薄膜能有效抑制过厚Mo(S,Se)_2的形成.研究发现, MoO_3厚度随着温度的升高而增大,其中350°C形成的MoO_3厚度最为合适,既能够有效降低Mo(S,Se)_2的厚度,又不影响吸收层... 在空气中对钼基底进行退火处理,在钼表面形成MoO_3薄层.该MoO_3薄膜能有效抑制过厚Mo(S,Se)_2的形成.研究发现, MoO_3厚度随着温度的升高而增大,其中350°C形成的MoO_3厚度最为合适,既能够有效降低Mo(S,Se)_2的厚度,又不影响吸收层和钼电极接触,器件最高效率达到10.58%.这种方法不会引入其他杂质元素,操作简单方便. 展开更多
关键词 MOO3 太阳能电池 接触性能 原位制备 薄膜 铜锌 钼电极 退火处理
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