脉冲激光沉积(PLD)铜薄膜过程的模拟研究

通过对PLD技术中的等离子体的产生及传播理论的分析,对等离子体的传播规律及基片平面上粒子浓度、速度的分布进行了模拟研究;讨论了PLD技术中等离子体的输运机理,为PLD薄膜制备提供了理论参考。

PLD法制备Cu膜生长的计算机模拟与实验

介绍了脉冲激光薄膜沉积技术(PLD)的原理,建立了PLD成膜过程初期生长的物理模型,并运用动力学蒙特卡罗方法对基于硅衬底的铜膜PLD生长进行了计算机模拟,得到生长形态图及剖面图,在相同的参数下做PLD实验,将所得原子力测试图与模拟进行了比较,结果相近。