298例急性脑血管病的血液流变性和血小板聚集活性的观察

急性脑血管疾病(脑卒中)是严重危害人类健康的常见病、多发病。近年对脑卒中的血粘度和血小板聚集研究是一个热门课题。我们自1986年开展了这方面的检查至91年底已检测12000人次。本文将对出血性疾病的脑出血和缺血性脑血管病的脑梗塞及短暂性脑缺血发作(TIA)共298例的血液流变性改变报道如下：

原发性血小板增多症的^(32)P治疗及临床分析

原发性血小板增多症(essential thrombocytosis,ET)是一种少见原因不明的骨髓增生性疾患,自1920年DiGuglielmo报道以来,国外文献报道已超过200例。本文总结近年我院经治资料完整的9例。 临床资料 一、对象:年龄14岁～70岁,平均年龄33岁。40岁以上者仅2例。男3例,女6例。诊断均符合谢毅等提出的诊断标准。 二、临床表现:1.症状:头晕、乏力9例均见。出血7例。5例为牙龈或鼻出血,另2例为伤口大出血及消化道出血。1例发生一过性脑缺血发作。2.

慢性淋巴细胞白血病晚期的脾切除治疗

慢性淋巴细胞白血病在我国发生率较低,大多发生于老年人。我们曾对2例晚期慢淋伴有显著脾肿大患者施行脾切除,效果甚好,报告如下。例1 男,53岁。1977年11月因全身乏力,在外院发现肝脾肿大,白细胞数增多,转来我院。

中稻花期致害高温主导的田间气象特征及其对不同杂交组合水稻结实的影响

采用分期播种、大田实地测定法研究了中稻花期致害高温主导的田间气象条件及其对不同杂交组合水稻结实的影响。结果表明,水稻开花期遭遇到的高温与常温相比,白天温度和光照强度在10：00-14：00时差异明显,8：00-10：00和16：00-18：00差异不大。相对湿度同期差异不显著,且高温条件下始终低于常温条件。与常温条件相比,高温使各供试品种的结实率显著降低,平均降低约8%。对高温影响结实率的原因分析表明,高温条件下3个供试品种的花粉活力和每柱授粉数显著降低,平均分别降低6.0%和8.4粒。品种之间的比较分析表明,高温条件下3个供试品种的结实率无显著差异;但与“汕优63”相比,“金优448”和“两优培九”高温和常温下的结实率、花粉活力和每柱花粉数相差较大,说明“汕优63”较另外2个品种对高温的反应相对较小,稳定性较强。

中国信息产业领域相关重点基础材料科技发展战略研究

我国微电子工业由于受制多种因素,发展不够快,在国际竞争中有落伍之感。作者列举了若干差距,提出了自己的想法。希望各界人士、广大读者解放思想,提出真知灼见,从发展战略的高度为中国微电子—光电子技术乃至信息产业发展出谋划策。

分子束外延低温生长GaAs缓冲层及性能研究

用国产分子束外延设备(Ⅳ型),在低温(200—300℃)下生长了GaAs,AlGaAs和GaAs-AlGAs超晶格。本文着重提出对在低温生长GaAs缓冲层上生长优质GaAs有源层,尤其对缺陷和杂质很敏感的高电子迁移率晶体管结构材料进行研究。

国家工程研究中心组织结构权变因素分析

运用组织结构权变理论研究分析了国家工程研究中心(NERC)组织结构设计的影响因素,并根据分析结果提出了我国NERC组织结构设计的建议。

分子束外延GaAs/AlGaAs材料及应用

利用国产MBE设备,我们研制了多种多用途的GaAs/AlGaAs器件结构材料,并制作出GaAs/AlGaAs量子阱激光器、GaAs/GaAlAs自电光效应器件(SEED)、GaAs/AlGaAs HEMT等多种器件。

优质GaAs/Si材料的研制

用国产分子束外延设备(Ⅳ型)在p型Si衬底上用三阶段生长法生长出优质GaAs外延层。测试样品为2μm厚,n型掺杂浓度5×10^(16)cm^(-3)。测量结果为x射线双晶衍射回摆曲线半峰宽225弧秒;低温光荧光谱半峰宽在10K时为5meV,外延层表面位错密度10~6cm^(-2)。

In_x Ga_(1-x)As/GaAs应变材料的生长与测试

利用国产Ⅳ型MBE设备,生长了长周期的In_xGa_(1-x)As/GaAs应变多量子阱结构,并利用x射线双晶衍射、低温光荧光、光吸收谱等多种实验手段来检验材料的质量。实验结果表明,材料具有优良的结构完整性。