聚乙烯导热复合材料的电子束辐照改性

将低密度聚乙烯(LDPE)、氧化铝(Al2O3)和纳米二氧化硅(SiO2)进行熔融共混,再通过电子束辐照对得到的材料进行改性,得到了同时具有高导热性能和力学性能的复合材料(PE-Al-Si)。当纳米SiO2的质量分数为1%,电子束辐照剂量为120 kGy时,与不含SiO2的复合材料(PE-Al)相比,PE-Al-Si的导热系数达到了0.759 W/(m·K),提高了22%。另外,PE-Al-Si的拉伸强度比PE-Al提高了17%。证明SiO2不仅可以改善复合材料的力学性能,同时还提高了辐照效率及复合材料的导热性能。

生长4H-SiC单晶用粉料的合成

采用自蔓延法分别在竖直式反应腔室和水平滚筒式腔室中合成单晶生长用高纯SiC粉料,并使用所合成的高纯SiC粉料进行4H-SiC单晶生长。采用堆积密度测试、XRD、Raman和GDMS检测的方式研究了粉料晶向、晶型和纯度等特性,并对生长的4H-SiC单晶形貌和晶型进行表征,验证合成粉料的适用性。结果表明,将高纯SiC粉料合成过程放在水平滚筒式腔室中进行,合成的SiC粉料晶型稳定,结晶质量好,符合生长4H-SiC单晶的需求;对比竖直式反应腔室,水平滚筒式腔室的合成效率由87.8%提升到98.7%。

PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭。对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%。