GaN基水平结构LED p-n电极间距的优化

本文提出了一种优化LED电极结构的新思路,通过改变GaN基水平结构LED的p-n电极间距,研究了LED在正常驱动电流和高电流驱动(over drive)时的电流扩展能力和出光效率的变化幅度,找到了特定尺寸芯片的最佳p-n电极间距。通过近场,分析了该电极间距下电流扩展状况;最后,将该电极间距的芯片封装成白光光源,进而研究了光源的光效提升效果。

9V GaN基高压LED芯片桥接电极的设计与制备

本文提出的方案以不引起SiO2保护层侧壁的桥接电极发生断裂为前提,通过调整芯粒单元间深隔离槽保护层的厚度,来找到恰当的保护层厚度和桥接电极厚度组合,以确保芯片的桥接电极可靠并且不漏电。基于此,制备可应用于0.2~0.3W照明的9V HV LED芯片,并用微电流和工作电流检验芯片各单元的发光均匀性,以及验证桥接电极电气连接的可靠性。最后,将芯片封装成白光灯珠,并测量其光通量。

电极Al层加厚对水平结构LED芯片性能的影响

随着水平结构LED市场的竞争越来越残酷,提高产品性能和质量成为各芯片大厂的当务之急。本文在水平结构LED上制备了4种不同Al层厚度的Cr/Al/Cr/Au结构电极,通过比对其电压、亮度和可靠性发现:2500?-7500?范围内,Al层厚度每增大1000?,LED的电压会降低约0.01V,且亮度和可靠性不变;当Al层厚度增大到10000?以上时,Al层侧面出现无Au覆盖缺口,电极Al层容易被氧化、腐蚀,周围出现黑色鼓包异常,对LED的电压、亮度和可靠性造成毁灭性影响。

政策工具和产业创新需求要素视角下的中国地方政府虚拟现实政策分析

在虚拟现实产业发展日盛之际,中国各地方政府陆续出台了一系列政策来推动虚拟现实产业的发展。从政策工具和产业创新需求要素2个维度出发,对中国地方政府出台的61份虚拟现实相关政策进行文本分析。研究表明,在政策工具维度,需求面和供给面政策工具使用最为频繁,尤其集中在虚拟现实技术与传统产业创新融合发展的应用推广方面,环境型政策工具使用偏少;在创新需求要素维度,大多数政策工具使用聚焦于技术研究和发展,在资金和人才资源要素作用方面较少,是制约虚拟现实产业进一步可持续性发展的重要问题。