低阈值基横模脊形波导GaAs／AlGaAs单量子阱激光器

本文报道了脊形波导结构ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器的研究成果．我们采用湿法化学腐蚀方法，通过对器件结构参数的优化，制备了性能优越的脊形波导ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱激光器，器件的阈值电流低于１０ｍＡ，最低值为７．３ｍＡ，而且实现了基横模工作，这是国内报道的该结构激光器的最好水平．

808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵

在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１．５Ｗ（室温，连续），激射波长８０８±４ｎｍ，光－电转换效率最高达６２％，器件寿命考核（２５℃，ＣＷ）超过１０００小时无明显退化。

光学薄膜技术改善分布反馈(DFB)激光器的光谱特性

报导了利用镀光学薄膜的方法来改变镀层厚度，可以有效地将原来处于双模工作的１．３μｍ ＤＦＢ激光器变为单模工作。模式改变起主导作用的是加镀膜层影响到激光器端面反射特性中的相移。实验表明，镀膜技术可望成为改善ＤＦＢ激光器单模工作的一种辅助方法。实验结果有助于理解相移对激射特性的作用。

增镀光学薄膜改善DFB激光器的光谱特性

利用增镀光学薄膜的方法，有效地将原来处于双模工作的１．３μｍ ＤＦＢ激光器变为单模工作的激光器．选择的增镀膜层起到了抑制边模的作用．从而改变了激光器的模式特性．实验表明。