AMT及其复配剂对青铜合金的缓蚀机理研究

青铜文物是国之瑰宝,其组织成分主要是青铜合金,本工作以青铜合金为研究对象,对合金表面的缓蚀效率及机理进行实验探索,为青铜文物保护材料的性能研究提供实验支持。采用失重法和电化学极化测试研究了2-氨基-5-巯基-1,3,4-噻二唑(AMT)复配尿素和三聚氰胺作为青铜合金缓蚀剂的缓蚀效率。失重实验结果表明,随着AMT浓度的增大,试样在三组实验腐蚀溶液中缓蚀效率均上升,其中1%AMT复配尿素组在NaCl溶液中的缓蚀效率为最大。电化学分析结果表明,随着加入电解液中AMT浓度的增加,1%AMT复配尿素组的腐蚀电位比1%AMT组上升了0.08 V,缓蚀效率为89.8%。采用SEM和XPS对试样表面含Cu的AMT缓蚀膜进行了分析,并对缓蚀机理进行探讨,结果表明,铜离子与AMT反应生成Cu(I)-AMT络合物,吸附在青铜表面起到缓蚀作用。

酒石酸钾钠和EDTA对青铜表面锈蚀的清洗效果对比研究

本工作采用不同浓度的乙二胺四乙酸(EDTA)和酒石酸钾钠(PST)溶液对青铜合金表面锈蚀进行清洗实验,并对清洗效果进行探讨和评价。电化学测试结果表明,相同浓度的EDTA溶液对基体的腐蚀速率小于酒石酸钾钠,两者的腐蚀速率均随着溶液浓度的增大而增大;SEM和XRD结果表明,168 h酒石酸钾钠完全有效清除绿色有害锈层,试样表面露出了Cu_(2)O和SnO_(2)锈层,EDTA部分有效清除绿色锈层,两种溶液清洗后试样表面均无新物质生成。EDTA和酒石酸钾钠均为螯合剂,两者螯合配位形式和成环结构不同,造成对Cu^(2+)吸附能力不同,导致两者的实际清洗效果存在差异。

CVD法制备单层二硒化钨薄膜及其生长机制研究

二硒化钨(WSe2)是一种具有较高带隙的半导体材料,其结构类似于石墨烯,具有优异的光电特性,在互补逻辑电路、场效应晶体管以及气敏传感器等领域具有潜在的应用价值。本实验采用化学气相沉积法(CVD)实现了大面积、高质量单层WSe2薄膜的制备,利用XPS、AFM、Raman对薄膜进行了表征,探究了基片到钨源的距离和生长温度对样品的形貌、尺寸及形核密度的影响。从晶体生长学的角度,用不同n(W):n(Se)(■0.5,>0.5,=0.5)生长模型解释了不同形貌WSe2薄膜的生长机制,为可调控二维半导体单层薄膜制备工艺的优化提供了参考。

BTA在铜表面吸附的密度泛函理论研究

本文基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理研究了苯并三氮唑(BTA)分子吸附于铜表面的反应活性特征及其吸附在三种不同取向晶面时的电荷转移以及成键情况,结果表明:BTA分子的亲电和亲核活性中心为N(1)、N(2)和C(5),在铜表面垂直吸附时为化学吸附,Cu原子的最外层价电子转移到N(2)原子上,两者形成配位键;BTA分子在三种不同取向的铜表面吸附时的吸附能大小为:Cu(110)_(x)>Cu(100)_(x)>Cu(111)_(x)(x=T、B、H),T表示顶位,B表示桥位,H表示空位;BTA吸附在Cu(111)面的转移电荷量:T(顶位)>B(桥位)>H(空位).