金属Fe/Cu超晶格的结构和铁磁共振

用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制得了金属Fe/Cu超晶格薄膜。用X射线衍射和电子显微镜观察和分析了它们的调制特性和晶格结构;用铁磁共振(FMR)技术和振动样品磁强计进行了磁学性质的研究。新的实验结果揭示了在邻近Fe层间的耦合特性和它对超晶格磁性的影响。

注入B^+离子使Fe膜非晶化的CEMS研究

用转换电子的Mossbauer谱(CEMS)技术研究了注入B^+离子后多晶Fe膜的非晶化过程。由Mossbauer谱的拟合参数得到了在离子注入层中的非晶产额和它的超精细相互作用参数。用剥层的方法研究了非晶相在注入膜中的分布。研究了退火对膜中各相的影响和晶化后的相。

非晶态FeBSi/Si成份调制膜的磁性质和内转换电子Massbauer谱

采用高频溅射法成功地制成了非晶态FeBSi/Si成分调制膜,随Si层厚度增加,调制膜的饱和磁化强度成指数下降,这是死层效应引起的,Mossbauer谱测量表明,死层是由于界面处Fe和Si原子的互扩散而形成的顺磁性相,在非晶态FeBSi/Si成分调制膜中发现存在尺寸效应,它只与FeBSi层的厚度有关,而死层效应既与FeBSi层厚度有关,也与Si层厚度有关。

CEMS STUDY OF MODULATED AMORPHOUS Fe_(78)B_(13)Si_9/Si FILMS

Recently there has been a great interest in the study of various compositionmodulated films because they possess noval physical properties which are different from natural materials. The modulated films formed by combining two elements with very similar crystal structures have been reported. For such films the inter-

石榴石薄膜中的条畴铁磁共振

本文详细报道了条畴铁磁共振(FMR)特性与微波磁场和条畴间夹角的依赖关系。实验结果表明,由Smit和Beljers等人所提出来的关于磁畴共振的理论需要进一步改进和完善。

畴壁共振和磁畴FMR之间的耦合效应

观察在磁膜中的磁畴磁共振(DR)和畴壁共振(DWR)是研究磁畴动态特性的主要方法之一,尤其是对磁泡材料的研究更是如此,因为一些与磁泡记忆元件特性有关的重要参数,如畴壁的结构和阻尼,可从这样的一些测量中得到。在以往的实验中,DWR和DR这两种共振是分别研究的,直到最近人们才开始注意到它们之间的相互干扰和耦合,但是在这方面的详细实验研究报道并不多。 本文用制备磁泡记忆元件的柘榴石型单晶薄膜研究了当高频激励磁场居与条畴分别平行和垂直时,DWR和DR两种模式间的相互作用。