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一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
1
作者
谭开洲
石红
+4 位作者
杨国渝
胡刚毅
蒲大勇
冯健
毛儒炎
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期164-167,共4页
介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在...
介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。
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关键词
智能功率集成电路
SOI
CMOS
LDMOS
VDMOS
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职称材料
题名
一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
1
作者
谭开洲
石红
杨国渝
胡刚毅
蒲大勇
冯健
毛儒炎
机构
模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期164-167,共4页
文摘
介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺,该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS/LDMOS工艺,芯片面积约50mm2。基于一种简单的二维模型,认为,在功率集成中,纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点,因此并不特别适合智能功率集成。
关键词
智能功率集成电路
SOI
CMOS
LDMOS
VDMOS
Keywords
SOI
CMOS
LDMOS
VDMOS
Smart power IC
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路
谭开洲
石红
杨国渝
胡刚毅
蒲大勇
冯健
毛儒炎
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
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