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PECVD技术淀积硅pn结太阳电池的双层抗反射膜 被引量：1
1
作者 原小杰 毛干如 郭维廉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期63-65,共3页
等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术,已被广泛地应用于大规模集成电路的制作工艺中.等离子反应的最主要优点是其反应温度可远低于热反应和LPCVD反应发生的温度下进行.这一特点对于集成电路芯片的全钝化,浅结器件的制作,以及多层布线间... 等离子增强化学汽相淀积(PECVD)技术,已被广泛地应用于大规模集成电路的制作工艺中.等离子反应的最主要优点是其反应温度可远低于热反应和LPCVD反应发生的温度下进行.这一特点对于集成电路芯片的全钝化,浅结器件的制作,以及多层布线间的隔离提供了方便. 展开更多
关键词 PECVD 硅 太阳能 电池 反射膜
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