气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法

在半导体材料及电子器件生产中，要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体，气体纯度严重影响产品质量。如氢，氮等气体及其流经的系统中的水份和氧，对硅及Ⅲ一V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中，氢中水份达100vpm时，硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中，若稀释气体中含有微量水份，使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”，从而在刻蚀多晶硅薄膜时，造成多晶硅脱落，致使电学性能变坏。由上可知，对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。

氧化铝湿度计的校准——动态校准法

氧化铝湿度计测定气体中水份是一个相对方法,需用标准方法进行校准.我们拟制了动态校准法.该方法解决了零点气体的获得;湿度的连续变化;湿度的绝对测量三个问题.本校准装置的校准范围为0.001～100PPmvH_2O(相当于-110℃～-20℃露点).调校后的校准曲线是一条近于45°的直线.经校准的氧化铝湿度计与多种测湿器进行对照测定,所得结果一致.这表明动态校准法和氧化铝湿度计的测定结果都是准确可靠的.对校准过程中应注意的问题进行了讨论.由误差分析估计出动态校准法的准确度可控制在±2℃露点以内.这与目前国外同类仪器的准确度基本相同.

国内外几种微量水分测定方法和仪器的比较

工业生产中对净化气体的质量要求越来越高，其中对微量氧和微量水的监测越来越重要了。湿度的测定相对来说是较为困难的，尤其是低湿度的测量就更困难，尤其是低湿度的测量就更困难，本文就几种微量水分测定方法和仪器进行了优缺点对比分析。

微量氧和微量水测定中一些问题的讨论

本文提出了高纯气体中微氧，微量水测定中遇到的渗漏，吸附，仪器精度及标定等问题进行讨论，并介绍了实测的经验和数据供大家讨论和参考。