闪烁体／光纤量能器的结构、材料和抗辐照能力

描述了闪烁体／光纤的不同结构和材料对量能器抗辐照能力的影响。用北京正负电子对撞机将～１ＧｅＶ电子束对五个量能器模型逐步辐照到１０ｋＧｙ或６０ｋＧｙ。通过对不同累积辐照剂量时各模型不同断面的光产额的测量，研究和比较了辐照引起的损伤及损伤后的恢复。

北京谱仪-Ⅱ主漂移室干扰噪声的研究

研究了北京谱仪－Ⅱ主漂移室干扰噪声（ｐｉｃｋ－ｕｐ噪声）的主要表现形式，分析了噪声的来源，提出了解决办法。

闪烁体瓦片-光纤量能器的辐照损伤研究

本文描述了对SDC闪烁体瓦片-光纤量能器模型的辐照损伤研究。四个模型用北京正负电子对撞机的1.1GeV电子束累积辐照了6Mrad。测量了在模型的不同深度和不同累积剂量时的光输出,研究了辐照后模型的恢复过程以及辐照损伤对环境气体的依赖。

闪烁体瓦片／光纤量能器辐照损伤的进一步研究

研究了由不同闪烁体瓦片／光纤材料组成，或材料相同但构造不同的量能器模型的辐照损伤．用北京正负电子对撞机（ＢＥＰＣ）的电子试验束（１．１或１．３ＧｅＶ）辐照了十个量能器模型．通过测量在不同累积剂量和在量能器内的不同位置上的光输出，对辐照损伤作出定量分析．还研究了损伤后的恢复及损伤与环境气体的关系．通过数据拟合发展了辐照损伤对剂量及对深度断面的校正方法．

北京谱仪

北京谱仪是北京正负电子对撞机上的一台大型通用性磁谱仪。它由多种探测器组成,用于测量正负电子湮没后的遍举末态反应,进行粲粒子物理和τ轻子物理研究。它有大的覆盖立体角;优良的荷电粒子分辨;动量分辨和好的低能光子探测效率。本文对谱仪的结构和性能作了详细的描述。

用联合D^0和D^+单双标记测定分支比的方法

报道了用“联合D0 和D+单双标记”测定衰变分支比的方法 .基于北京谱仪 (BES)在北京正负电子对撞机 (BEPC)质心系能量s =4 .0 3GeV处获取的数据 ,利用联合D0 和D+单双标记的方法 ,可以测定D0 和D+介子单举和遍举衰变分支比 .作为该方法的应用举例 ,利用BES实验组发表的数据 ,在 90 %置信度的情况下 ,测得D+→e+ν衰变过程分支比的上限为Br(D+→e+ν) <1 .6% .此上限值与BES曾发表的结果一致 .

北京谱仪大型精密圆柱漂移室dE／dx粒子识别的研究

本文简要描述了北京谱仪主漂移室的ｄＥ／ｄｓ粒子识别方法，给出在物理实验应用中ｄＥ／ｄｘ性能测量的主要结果．经过系统效应的软件修正和绝对的能量刻度后，对最小电离粒子（０．４—０．５ＧｅＶ／ｃ的π）大于３０次ｄＥ／ｄｘ取样的能量分辨率为７．５％．大于３σＫ／π分离的动量ｐ≤０．６５ＧｅＶ／ｃ．大于３σｅ／π分离的相应动量范围为０．２≤ｐ≤４ＧｅＶ／ｃ．

大角度巴巴散射和双μ产生的研究与亮度测量

利用北京谱仪(BES)在=4.03 GeV 下正负电子对撞数据,研究了巴巴和双μ事例的 QED 过程.结果表明,实验数据在误差范围内同 QED 预言较好地一致,且从 e^+e^-和μ^+μ^-末态测出的两个亮度值在4%范围内相互一致.计算给出:BES 在该能区获取数据的总积分亮度为23.1 pb^(-1).

一种漂移室定位子性能反常现象的研究

研究了一种漂移室定位子性能的反常现象，它关系到定位子的使用寿命．着重测量了暗电流和随机噪声与时间、高压及温度的关系．

北京谱仪大型精密圆柱漂移室的设计和建造

简要描述了北京谱仪(BES)主漂移室的物理设计、机械设计与建造、工作气体选择、模型实验等方面.给出主室各项指标的实验值或估算值:立体角覆盖、增益和效率、R-φ平面的空间分辨率、轴向空间分辨率dE/dx能量分辨率与粒子鉴别能力等.

BES主漂移室的宇宙线测试结果

简要描述了北京谱仪(BES)主漂移室的结构和宇宙线实验安排,给出利用宇宙线测试主漂移室性能的主要结果.单元内具有线性的漂移距离S-漂移时间T关系.室的单丝空间分辨率σ_x-210～240μm.相当室内40次dE/dx取样的能量分辨率为8.77％.主漂移室运行稳定.

J/Ψ能区强子单举产生的实验研究

利用北京谱仪（ＢＥＳ）获取的２×１０５Ｊ／事例，首次给出Ｊ／能区Ｋ±、Ｋｓ、ｐ．Ｋ，Ｋ、等介子和（１３８５）等重子的单举产额，并与理论模型进行比较，结果表明唯象模型向低能区的延拓是可行的。同时得到Ｊ／能区的奇异抑制因子ｓ／ｕ－０．３，自旋抑制因子Ｖ／（Ｖ＋Ｐ）－０．３－０．５，与ＡＲＧＵＳ在能区的测量结果一致，说明ＳＵ（６）对称性破缺在Ｊ／能区也是存在的。

e/π识别的dE/dx方法在北京谱仪τ重轻子质量测量中的应用

本文介绍了北京谱仪(BES)主漂移室(MDC)e/π识别的dE/dx方法在τ重轻子质量测量中的应用。该方法的应用使得对τ^+τ^-衰变产生的"eμ"事例的标记效率,比仅用传统的电磁簇射信息标记时提高了3倍以上。效率的提高不仅减少了事例丢失,还使得为找到同样多的τ^+τ^-事例所需要的谱仪和对撞机运动时间和数据离线处理所用的计算机CPU时间均减少了～75%。

D_s介子几个重要衰变分支比的绝对测量

在正负电子对撞能量 4 0 3GeV处 ,BES实验在BEPC对撞机上完成了Ds 介子纯轻子衰变 ,半轻子衰变和φπ+ 分支比的绝对测量 .文章详细描述了用于π与K识别的联合置信度方法 ,Ds单标记和双标记技术 ,以及计算Ds 衰变分支比的最大似然函数 .对所得物理结果做了讨论和评述 .