金刚石高成核选择比图形化技术

报道了一种新的金刚石薄膜选择生长图形化技术。首先用直流偏压增强的微波等离子体化学气相沉积（ＭＰＣＶＤ）对图形区域（Ｓｉ）高密度金刚石成核，接着对掩模区域（ＳｉＯ２）进行一次化学浅腐蚀，然后正常生长金刚石薄膜，得到表面光滑、侧壁陡直的金刚石精细图形。用该技术制作了金刚石微马达结构，其厚度为２μｍ，转子直径１５０μｍ。图形间隙可控制至１－２μｍ。

金刚石薄膜选择生长技术

以金刚石微马达和微型谐振子结构制备为例，介绍化学气相沉积金刚石薄膜的两种选择生长技术。

金刚石薄膜的光学透射率研究

Diamond thin films are deposited on mirror-polished Si substrates using microwave plasma chemical vapour deposition (MPCVD), wherein, the substrates were first treated fornucleation by DC bias-enhanced MPCVD, and diamond nucleation density as high as 1010 cm-2 has been achieved. Under the same density of nucleation, the relationships between optical transmittance and deposition parameters such as methane concentration (n), substrate temperature (T) and gas pressure (P) are established. The results show that the transmittance strongly depends on the methane concentration and substrate temperature, but hardly depends on the gas pressure. With the parameters of n = 0.7 %, T = 840℃and P =20 Torr, a highest transmittance at visible light (λ= 600 nm) reaches to 64.5 %, which is very close to the theoretical transmission limit of diamond film.

一种二次自对准的镍微静电马达

设计出一种微静电ｗｏｂｂｌｅ马达，定子电极的一部分重叠在转子之上，微马达用二次自对准的准ＬＩＧＡ技术制作，电铸镍作结构层（定子、转子和轴），电铸铜作牺牲层，得到的转子与定子、转子和轴的间隙分别为２．５和１．３μｍ。马达制备的关键工艺都在低温下完成。在定子和转子间加电压１５Ｖ，观察到马达转子开始晃动，３０～５５Ｖ时连续转动，转速和减速比随电压和频率变化，对实验结果进行了讨论。

用作金刚石微电子和微机械器件的若干关键技术

针对金刚石薄膜用于微电子器件和微机械器件的共性关键技术问题 ,总结了近年来这些方面的研究成果 ,包括 :用交流 直流负偏压微波等离子化学气相沉积 (MPCVD)在绝缘SiO2衬底上实现金刚石高密度成核 ,高成核选择比的金刚石选择生长技术 ,铝掩模氧反应离子束刻蚀金刚石薄膜的图形化技术 ,以及与金刚石生长工艺兼容的牺牲层。

交变电场辅助的微波CVD金刚石成核研究

报道了一种新的适用于在绝缘衬底上生长金刚石薄膜的方法,利用在直流电压上叠加交流成分,作为微波等离子体的电场偏置,成功地在SiO_2衬底上首次实现了>10~8cm^(-2)的金刚石成核。实验结果表明,金刚石薄膜的成核密度与偏压中交流信号的频率和幅度以及直流信号的幅度存在密切的关系。