高能机械研磨合成尖晶石型ZnFe_2O_4铁氧体的研究

本研究通过高能机械研磨的方法直接将ＺｎＯ和αＦｅ２Ｏ３混合粉末合成为尖晶石型ＺｎＦｅ２Ｏ４铁氧体粉末。采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和高分辨透射电子显微镜（ＨＲＴＥＭ）分析不同研磨时间ＺｎＦｅ２Ｏ４铁氧体形成的化学反应过程。研究发现，反应过程分阶段进行，在初始阶段（前２０ｈ），反应进行十分缓慢；而２０ｈ以后，ＺｎＦｅ２Ｏ４铁氧体的合成反应开始剧烈进行，并在很短时间内完成。反应合成的ＺｎＦｅ２Ｏ４铁氧体粉末的平均晶粒度小于１０ｎｍ。

热变形加工对WC_p/2024Al复合材料组织结构和力学性能的影响

本文采用真空热压方法制备了WCp/2024Al复合材料,研究了真空热压-热锻压-热轧制等热变形加工工艺对复合材料微观组织结构和力学性能的影响.结果表明,热锻压和热轧制加工显著细化了基体Al合金组织,改善了WC颗粒的分散性,促进了两相界面的冶金结合,材料强度得到大幅度提高;高变形速率的热锻压和热轧制工艺可降低复合材料界面WAl12中间相的生成温度,大量中间相的生成导致材料塑性下降.

高能机械研磨纳米结构WC-Co复合粉末的研究

采用高能机械研磨制备纳米结构ＷＣＣｏ复合粉末，研磨后的纳米结构ＷＣＣｏ复合粉末采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ），Ｘ射线能谱仪（ＥＤＳ）分析其微观结构（包括晶粒尺寸，应变，Ｃｏ的分布和晶格缺陷）。研究发现经过高能机械研磨，ＷＣ的晶粒尺寸能降低到１０ｎｍ以下，纳米尺度的ＷＣ晶粒被Ｃｏ薄层覆盖和分离，ＷＣ晶粒的形貌为近似球形，并且ＷＣ晶粒中产生了大量的晶格缺陷。

Ti(C,N)基金属陶瓷的研究

研究了合金组成及其含量、烧结工艺、热等静压等对Ｔｉ（Ｃ，Ｎ）基金属陶瓷性能的影响。氮的加入形态、Ｎ／Ｃ、钼、镍、碳对合金性能都有影响。其中，Ｎ／Ｃ比值影响粘结相、硬质相的晶格常数及钼在粘结相和ＳＳ相的溶解量。当ＴｉＮ质量分数增加到２６％或镍质量分数增加到２５％时产生Ｎｉ３Ｍｏ相，缺碳则出现Ｎｉ３Ｔｉ相。真空烧结温度超过１４５０℃，ＴｉＮ分解，造成合金收缩率下降。热等静压处理后，抗弯强度提高了７０％以上，相对密度达到９９６％以上，硬度值（ＨＲＡ）提高了０９～１７。

低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究

为了提高钛酸钡基陶瓷的击穿强度及降低介电损耗,用传统粉末冶金法制备了BaxSr1-xTiO3陶瓷（x=1,0.7,0.6,0.5,0.4,0.3,0.2,0.1）。X射线衍射（XRD）分析结果表明,随着x的增加,BaxSr1-xTiO3陶瓷的晶胞体积增大。且在室温条件下（约25℃）,当x=1-0.7时其晶体结构为四方相结构,当x=0-0.6时,为立方结构。材料的介电常数及介电损耗随着x的增大而增大;而其频率稳定性则随着x的增大而减小。在Ba0.2S0.8TiO3粉体中以机械混合的方式添加ZnO后,随着ZnO添加量的增加,陶瓷的介电常数、击穿强度都随着增大,而介电损耗则减小,当ZnO的加入量为1.6%（质量分数）时,材料的介电常数和击穿强度达到最大值,而介电损耗最小。

Fe_4N电磁波吸收剂的合成及其吸波性能的研究

使用氢气还原氮化法 ,以针状γ -Fe2 O3 为原料在不同温度下制备了Fe4 N吸收剂 ,研究了氮化温度对吸收剂形态的影响 ,并对Fe4 N吸收剂 +环氧树脂 +固化剂组成的吸波材料进行了电磁参数与吸波性能的测试。在 5 40℃制备的Fe4 N吸收剂可以实现较高的吸收剂体积分数 ,从而可以实现高的磁导率值 ,通过合理的设计 ,由该材料制备的 2mm厚的吸波材料在 3GHz反射率低于 - 18dB。

高介电性能的陶瓷-聚合物复合材料的研究现状

在材料研究领域中,具有电学性能的陶瓷/聚合物复合材料是一种新型的复合材料,其中具有高介电性能的陶瓷/聚合物0-3复合材料以其广泛的应用前景已经引起人们极大的关注。文中介绍了具有高介电性能的陶瓷/聚合物复合材料的介电理论模型及其制备方法,概述了国内外的研究现状及应用,并且对未来的发展趋势做了展望。

ZrVFe吸气剂激活过程研究

通过X射线光电子能谱仪(XPS)对ZrVFe吸气剂的激活过程进行了研究。结果表明:暴露于大气的吸气剂表面覆盖着一层CO2,O2及碳氢化合物,合金表面中的锆和钒主要以氧化态存在。当吸气剂置于高真空进行激活时,钒的氧化物在较低的温度(200～300℃)下被还原,并且还原比例高于锆的氧化物。在激活温度为300℃至340℃的过程中,表面大量的ZrO2和VO2逐渐减少而被还原为亚氧化物和金属态。激活过程还导致了在表面近金属态锆的富集,以及部分金属碳化物的生成。

激活工艺和表面气体压强对一种改性锆石墨吸气剂吸气性能的影响

用粉末冶金工艺制备了一种改性的锆石墨类吸气剂,研究了激活工艺和吸气剂表面气体压强对该吸气剂吸气性能的影响。结果表明:该类吸气剂具有优越的室温吸气性能。高温短时间的激活效果优于低温长时间。增加吸气剂表面气体压强Pg有利于提高吸气剂的吸气速率和吸气量,且适当增加Pg比提高激活温度更有利于提高吸气剂的吸气性能。本文从吸气剂对气体分子的吸附和扩散作用机理解释了上述结果。

低频(3GHz)微波吸收材料电磁参数匹配特性的研究

对 2mm厚的单层吸波材料在 3GHz达到最佳吸收效果所需的电磁参数进行了理论计算 ,并结合现有吸波材料的参数特点对计算结果进行了分析。结果表明 ,在 3GHz,较高的磁导率实部是达到高吸收率的必要条件 ,而适当低的介电常数虚部有利于电磁参数的匹配。研究了Fe4 N吸收剂 /环氧树脂涂覆型吸波材料的吸波性能 ,结果表明 ,使用偶联剂对吸收剂进行表面包覆处理可以显著降低介电常数的虚部 ,有利于吸收率的提高。

WC_p/2024铝合金复合材料界面反应的分析

采用真空热压法在不同温度下制备了体积分数为12%的WCp/2024Al复合材料,试验中所用WC原始粉末的平均粒径分别为2μm和8μm。利用XRD、SEM、EDS等方法对增强颗粒与基体金属之间的界面反应进行了研究。结果表明,界面反应的主要产物为WAl12,但是当制备温度较高时,界面反应产物中出现少量Al5W,并且WCp(2μm)/2024Al复合材料界面反应的起始温度低于WCp(8μm)/2024Al复合材料。硬度测试结果表明,界面反应发生后,复合材料的硬度提高,最高比例达50%。

空芯玻璃微球表面改性及其介电性能研究

采用直流磁控溅射法对空芯二氧化硅微球表面镀Ni薄膜,利用扫描电镜对镀Ni膜微球形貌进行观察。结果表明获得了金属Ni包覆的玻璃微球。将镀Ni膜微球与高分子粘合剂混合制得人工介质材料,在一定频率范围内,测试其介电常数,并采用有效媒质理论对测试结果进行了分析。研究结果表明,在体积分数一定的情况下,介质材料的有效介电常数eeff随膜厚的增加而增加。eeff随着镀Ni微球体积分数的增加而增加,其实验值与有效媒质理论的C M公式计算值较好地吻合。

中国含稀土元素的硬质合金研究

对中国含稀土元素的硬质合金10 多年的研究进行了综述。其内容有历史回顾、合金研制、性能和组织结构影响,稀土元素在硬质合金中分布和存在形态。

高介电常数EP/BT复合材料介电性能的研究

选用粒径从100nm^1μm的钛酸钡(BT)粉末与环氧树脂(EP)采用溶液共混法制备了0~3型两相复合材料,并研究了复合材料的介电性能包括介电常数、介电损耗以及击穿场强。结果表明,复合材料的介电性能不只与陶瓷相的体积分数有关,还与陶瓷相中BT颗粒的粒径大小相关。运用SEM手段对复合物的微观形貌进行了表征。

SnO_(2-x)薄膜非化学计量比对气敏性能的影响

采用反应磁控溅射法制备SnO2薄膜经常出现化学计量比的失衡问题。通过控制溅射过程中的氧分压制备不同化学计量比的SnO2-x薄膜,研究非化学计量比对薄膜结构、成分以及气敏性能的影响。XRD结果表明氧分压对材料结构和取向的影响非常显著。薄膜的O/Sn和表面化学成分通过XPS进行确定,分析发现氧分压的增加促使薄膜接近化学计量比,但表面化学吸附氧含量在0.33Pa氧分压下达到最大。气敏性能测试表明,非化学计量比主要影响薄膜表面的化学吸附氧数量,从而影响导电性和气体敏感性。氧分压对薄膜化学吸附氧的影响趋势与对气敏性能的影响趋势一致。0.33Pa氧分压下制备的薄膜拥有最多的表面吸附氧,同时对氢气的灵敏度高达45.6%。另外,在0.2-0.5Pa氧分压下制备的薄膜对氢气具有较好的选择性。

低频(5~30kHz)强磁场下1J79软磁合金相对磁导率及其屏蔽效能

采用8232型B-H交流回线仪对受力前后的1J79软磁合金在不同场强和频率下磁导率的变化进行了研究,采用XRD对材料受力前后微观结构变化进行了分析。研究表明：（1）场强在1-10 A.m-1范围内,直流条件下受应力1J79合金的相对磁导率远低于不受应力1J79合金的相对磁导率。（2）场强在1-10 A.m-1范围内,交流条件（5-30 kHz）下受应力1J79合金的相对磁导率低于不受应力1J79合金的相对磁导率,但低于直流条件下的降低幅度。（3）1J79合金受力后,使有利于磁性能（111）晶面取向大大减少,是合金受力后相对磁导率下降的主要原因。

低频磁场屏蔽材料的复合结构与屏蔽性能研究

针对10～100 kHz的低频磁场设计了几种屏蔽材料的复合结构,研究不同屏蔽材料对低频磁场的屏蔽效能。结果表明:低频磁场的屏蔽效能主要与材料的磁导率和电导率有关,屏蔽效能随磁场频率的增加而增加;对于不同频率的磁场,通过调整屏蔽材料的复合结构,能够以较低的厚度获得较高屏蔽效能。

Ni修饰层对SnO_2薄膜气敏性能影响

采用磁控溅射技术在SnO2薄膜表面修饰金属Ni，研究Ni修饰量对SnO2薄膜气敏性能影响。对Ni-SnO2薄膜进行表面成分分析，发现Ni的表面含量和化学价态对Ni-SnO2薄膜气敏性能影响至关重要。Ni的表面修饰量在3．4％-8．8％之间将有效提高SnO2薄膜对低浓度氢气的敏感性能。180℃工作温度下，表面含Ni3．4％的SnO2薄膜对1000ppm的氢气灵敏度最高为59．6，同时响应时间和恢复时间降低至15s和125s。Ni修饰量增加到23．4％，薄膜的气敏性能恶化，这是因为修饰层过厚，阻碍气体与SnO2材料接触。同时，XPS证实NiO是增加SnO2薄膜气敏性能的主要物质，增敏机理解释为Ni氧化后形成的NiO在SnO2薄膜上形成p-n结，促进元件的电导变化，从而提高了薄膜的气敏性能。

应力对1J79软磁合金强场磁导率的影响

采用8232型B-H交流回线仪对受力前后的1J79软磁合金在不同场强和频率下磁导率的变化进行了研究,通过XRD对材料受力前后微观结构变化进行了分析。研究表明：场强在1-10 A·m^-1范围内,直流条件下受应力1J79合金的相对磁导率远低于不受应力1J79合金的相对磁导率;交流条件（5-30 kHz）下受应力1J79合金的相对磁导率低于不受应力1J79合金的相对磁导率,但低于直流条件下的降低幅度。1J79合金受力后,使有利于磁性能（111）晶面取向大大减少,是合金受力后相对磁导率下降的主要原因。

热处理对粉末冶金法制备W_p/2024Al复合材料力学性能的影响

利用粉末冶金法制备了钨颗粒体积分数分别为5%,8%,10%的Wp/2024Al复合材料,挤压态复合材料W颗粒分散均匀,沿挤压方向钨颗粒呈带状分布。复合材料经过热处理后拉伸强度得到提高,延伸率则发生下降;同一工艺制备的Wp/2024Al复合材料480℃固溶时抗拉强度达到最大值;随着固溶温度的升高,复合材料屈服强度有一定的增加,延伸率下降;随着W含量的增加,T4态复合材料的抗拉强度和屈服强度升高,而延伸率下降。断口观察表明,挤压态和热处理态复合材料断口上存在大量韧窝,W颗粒没有发生开裂,热处理态复合材料发生界面脱开现象。