氧化铁掺杂对PMnS-PZN-PZT压电陶瓷性能的影响

通过对晶体结构与压电、介电性能测试,探讨了Fe2O3掺杂对PMnS-PZN-PZT陶瓷压电性能的影响。结果表明,PMnS-PZN-PZT陶瓷结构位于三方、四方相共存的MPB区间,Fe2O3掺杂导致晶体三方、四方相结构含量发生变化。当Fe2O3掺杂含量为0.45wt%时,晶体结构位于准同型相区间偏四方相结构的位置,压电与介电性能达到最佳:tanδ=0.12%,d33=356pC.N-1,kp=0.60,Qm=745,在230℃以下的温度范围具有很好的频率温度稳定性。