不同环境因子作用下水溶性CdTe量子点的生长动力学研究

以硫普罗宁为稳定剂,水热法制备了水溶性CdTe量子点,系统研究了回流时间、反应物配比、pH值、反应温度和电解质种类等环境因子对量子点生长动力学及光物理性质的影响。结果表明,溶液的pH值及反应物配比对CdTe量子点的光物理性质均有重要影响。优化条件后,回流5 h可得到发射峰位于550 nm的CdTe量子点,其荧光量子效率高达52%;在氯化钠作用下,量子点生长加快,即高浓度氯化钠会减弱溶液中粒子间静电排斥,促进离子扩散,有利于量子点的生长;添加苯磺酸钠会抑制量子点的生长,有利于制备高荧光量子效率的小尺寸CdTe量子点。

一锅溶剂热法制备具有不同形貌特征的CdSe量子点负载石墨烯

利用Hummer氧化法制备了氧化石墨烯,并对氧化石墨烯的NaBH4化学还原法和乙二胺溶剂热还原法进行了比较,发现用乙二胺还原后可在石墨烯表面引入含氮基团,增加片层间的距离,提高分散性。采用乙二胺溶剂热还原法,发展了一锅法制备CdSe量子点负载石墨烯的简易方法。对CdSe量子点负载石墨烯的表征分析结果显示,氧化石墨烯在负载CdSe量子点的同时自身被还原,氧含量显著减少,而还原后的石墨烯表面引入了含氮基团。考察了反应温度及反应时间的影响,研究结果表明,反应温度的变化对氧化石墨烯的还原过程影响不大,而反应时间的影响相对明显。随着反应时间的延长,氧化石墨烯的还原程度越高,石墨烯表面负载的CdSe量子点则由颗粒逐渐长大成为纳米棒和支化的星状纳米结构。通过调控反应条件可在控制氧化石墨烯还原程度的同时改变石墨烯表面所负载CdSe形貌,这为形貌可控的CdSe量子点负载石墨烯的制备提供了一种有效方法。

不同环境因素对水热法合成碲化镉量子点的影响

对比了不同巯基稳定剂和前体浓度对水热环境CdTe量子点的生长过程和光物理性质的影响。结果表明,巯基丙酸与镉前体的结合能力较强,一定程度上减小了前体溶液中镉的浓度,故CdTe量子点生长速率较慢;空间位阻较大的硫普罗宁与镉前体的结合相对较弱,因此导致CdTe量子点生长较快。巯基丙酸有利于制备发光波长较短的高荧光强度CdTe量子点,而硫普罗宁有利于制备发光波长较长的高荧光强度CdTe量子点。前体浓度对CdTe量子点的生长速率和光物理性质的影响不明显。在上述实验结果基础上,考察了水溶性乙酸钠和聚丙烯酸钠电解质对水热环境中CdTe量子点的生长过程和光物理性质的影响。结果表明,添加乙酸钠后可提高CdTe量子点的生长速率,进而导致CdTe量子点的表面重构和钝化能力下降,使荧光强度降低;聚丙烯酸钠对镉单体独特的固定作用导致CdTe量子点生长缓慢,尺寸集中化受限,钝化能力降低,使荧光强度下降更加明显。

芴类蓝光生色团在合成有机电致发光材料中的应用

有机电致发光技术在通信、信息、显示和照明等领域显现出巨大的商业应用前景,十几年来一直是光电信息领域的研究热点之一。相对于无机电致发光材料,有机电致发光材料具有许多优点。芴作为一种具有刚性平面联苯结构的化合物,由于具有宽的能隙、高的发光效率和结构上易于修饰等特点,已成为一类受到各方关注的蓝光生色团。因此,芴类蓝光生色团在合成高效稳定电致蓝光材料、聚芴β相结构的调整、多功能化、主体材料、白光材料、有机激光及有机纳米发光材料等方面得到了广泛应用。本文从材料合成的角度综述了芴类蓝光生色团在合成有机电致发光材料方面所取得的最新研究进展,讨论了芴类蓝光生色团在上述领域应用过程中所存在的问题和功能拓展方向,并对下一步需要研究的热点做了展望。

上锡工艺对倒装LED COB器件的影响

本文分别采用刷锡与点锡工艺制备出了倒装COB光源,并对两种工艺的COB产品性能及可靠性进行了评估。X-Ray探测仪检测表明点锡工艺制备的COB焊接层空洞大而集中,空洞率显著偏高。热阻测试结果表明空洞导致热阻偏大,散热效果差,结温显著偏高,进而导致光衰老化严重,最终导致COB产品光电性能发生变化。采用刷锡工艺,锡膏涂覆均匀一致,得到的COB产品经高温老化1000 h后,光维率保持在95.6%,高温高湿老化1000 h后,光维率仍保持在95%以上,产品性能稳定可靠。

LED产品老化失效机理分析与探讨

本文按照失效分析的流程,对一款失效的LED产品进行分析。外观检查发现失效LED表面发黑,X-Ray探测仪发现LED内部引线断开,SEM电镜检测表明LED芯片外延层烧毁,线径端口烧融的现象,EDS能谱仪成分分析并未发现异常元素,温度测试结果表明LED产品温度超出了LED正常使用的环境温度,热阻分析表明LED芯片结温远高于芯片允许的极限结温,因此LED在老化过程中出现死灯,是由于LED贴片过于密集,热量无法散出,导致芯片结温过高而失效,同时驱动电源输出存在尖峰脉冲,加剧芯片囤积热量,导致失效。因此优化散热和电源的设计是提高LED可靠性的重要方法。

失效LED的初步诊断方法

近年来LED照明技术发展迅速,失效分析作为解决产品可靠性问题的重要手段,在长期可靠性模型的建立中,成为一个重要课题。本文从失效LED的实际出发,论述了失效LED的初步诊断方法,提出了系统的初步分析流程,介绍了初步诊断方法的分析要点及参数设置。利用此初步分析流程可得到失效LED的全面失效信息及初步判定结果,为深入破坏性分析提供了支撑与方向。