用MOCVD在ZnO/Al_2O_3衬底上生长GaN及其特性

本文报道利用直流反应磁控溅射技术在 Ａｌ２ Ｏ３ 上生长一层 Ｚｎ Ｏ，再用 Ｌ Ｐ Ｍ Ｏ Ｃ Ｖ Ｄ 在 Ｚｎ Ｏ／ Ａｌ２ Ｏ３ 衬底上生长 Ｇａ Ｎ．实验发现低温生长 Ｃａ Ｎ 过渡层有利于晶体质量的提高； Ｐ Ｌ 谱主峰红移到蓝光区；二次离子质谱仪（ Ｓ Ｉ Ｍ Ｓ）测量发现有 Ｚｎ 扩散到 Ｇａ Ｎ 外延层， Ｚｎ 的扩散引起光致发光谱主峰移动．估算出在 １０５０℃ Ｚｎ 在 Ｇａ Ｎ 中扩散系数是 ８６×１０－ １４ ｃｍ ２ ／ｓ．

快速退火Mg∶GaN的光致发光研究

本文报道利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在Ａｌ２Ｏ３ 衬底上生长Ｍｇ∶ＧａＮ，在Ｎ２ 气氛下，经高温快速退火，然后进行光致发光测量．分析发现光致发光谱可以分解成４１０ｎｍ 和４５０ｎｍ 两个发光峰的叠加，本文对这两个峰的来源作了探讨，提出深Ｎ 空位能级到Ｍｇ

在ZnO/Al_2O_3衬底上生长高质量GaN单晶薄膜

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ在ＺｎＯ／Ａｌ２Ｏ３衬底上生长了ＧａＮ。实验发现低温生长ＧａＮ过渡层有利于晶体质量的提高；样品ＰＬ谱主峰红移到蓝光区。