应力对IGBT电性能的影响及应力来源研究

基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应。建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分析了IGBT的应力来源,可为IGBT应力控制提供一定的参考。

静电吸盘吸附技术建模与仿真系统设计

半导体设备中常用静电吸盘的原理,通过在LABVIEW软件中仿真得出设备最佳运行状态下的相关参数。分析单极和双极静电吸盘的模型建立过程,研究Varian 810离子注入机的六相静电吸盘的原理及其使用中夹持电压、冷却气体等对产品良率的影响,提出生产过程的监控参数。

氮化硅立式炉硬件改造提升颗粒表现

氮化硅工艺的特点以及立式炉各个系统的工作原理。分析氮化硅立式炉颗粒频繁超标的问题,通过设备改造来提升机台颗粒表现,同时总结了近几年的设备使用以及维护经验。