氧化物熔盐电沉积二硼化钛镀层的研究

分别采用脉冲电源和直流电源,利用TiO2 B2 O3 LiF KF熔盐体系,在石墨基体上电沉积制备了TiB2 镀层。在实验中,考察了直流电流密度、脉冲宽度、脉冲间隔、脉冲电流幅度等条件对TiB2 镀层性能的影响。实验结果表明:采用脉冲电沉积得到的镀层性能优于直流电沉积。在本实验参数下(摩尔比TiO2 ∶B2 O3∶KF∶LiF =0 .0 6∶0 .4∶0 .74∶0 .8,温度80 0℃,脉冲宽度7.5ms ,脉冲间隔2 .5ms,电流密度0 .6A·cm- 2 ,电沉积时间5 0min)得到的TiB2 镀层表面平整,有金属光泽,结构致密,晶粒细小,与基体的结合力良好。

KF-KCl熔体中电沉积TiB_2镀层(英文)

在铝工业中TiB2是一种非常有前途的阴极内衬取代材料。本研究首先通过热力学分析验证了在Ti-B-C体系生成TiB2的可能性,然后在K2TiF6和KBF4作为活性物质的KF-KCl熔体中以石墨为基体通过直流电沉积(CCP)和周期断开电流电沉积(PIC)技术制备了TiB2镀层,并且研究了电流密度和电镀技术对镀层表面平整度、致密度和晶粒尺寸的影响。结果表明,当电流密度为0.8A/cm2时,能够得到厚度均匀且和基体具有良好附着的TiB2镀层;和CCP相比,采用PIC技术制备的TiB2镀层表面平整度和致密度都得到明显改善,并且晶粒也更为细小。XRD分析表明镀层由相对纯净的TiB2组成,并且镀层择优取向均为(001)面,这和二维晶核理论的预测相吻合。

室温氯化铝-有机熔盐电沉积铝的研究进展

介绍了室温有机氯化铝熔盐中铝电沉积的研究发展状况,分析了铝在不同室温熔盐中的电沉积机理;着重介绍了铝在有机烷基吡啶、烷基咪唑啉、三甲基苯胺氯化物、苄基三甲基氯化铵有机烷盐中的电沉积情况;介绍了这些熔盐的理化性质、铝电沉积时的电流密度、电流效率和沉积层的厚度以及这些熔盐在工业生产应用中的利弊。