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InP与In_（1－x）Ga_xAs_yP_（1－y）／InP的电解液电调制反射
1
作者 唐洁影 江开源 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期269-272,共4页
研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱。利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量、增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数... 研究了ＩｎＰ样品和Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ液相外延片在３００～８００ｎｍ范围内的电调制反射光谱。利用Ａｐｓｎｅｓ三点法计算了临界点能量、增宽因子和自旋轨道分裂值。通过实验曲线与理论公式的拟合，确定了临界点能维数及相位因子。并且间接提供了被测Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ四元合金的组份值及其它临界点能量值Ｅ０和Ｅ２。 展开更多
关键词 电解液电反射谱 半导体材料 外延生长 磷化铟
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多孔硅反射谱的测量与分析
2
作者 晁战云 徐伟弘 +1 位作者 唐洁影 江开源 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1997年第1期50-54,共5页
测量了多孔硅的光反射谱，并进行了分析和讨论，得出了其能带展宽等特性。利用K－K关系，计算得出了多孔娃的折射率n等光学常数，并结合单晶硅的相应光学常数进行了比较和分析．
关键词 多孔硅 K-K关系 反射谱 半导体能带结构
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