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电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用
1
作者
刘玉贵
王维军
+1 位作者
罗四维
江泽流
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期42-43,共2页
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
关键词
电子束直写直栅
T形栅工艺技术
电子束曝光技术
GAAS器件
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职称材料
喷雾显影技术在亚微米制版中的应用研究
2
作者
江泽流
《微细加工技术》
1991年第2期41-47,共7页
阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。
关键词
喷雾显影
亚微米制版
应用
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职称材料
微细制版中的干法刻蚀技术研究
3
作者
江泽流
《电子工艺技术》
1991年第5期11-14,共4页
本文简述了干法刻蚀在微细制版,特别是电子束制版中的重要性,较详尽地介绍了本研究所用的实验装置,刻触原理,工艺参数选择,实验结果及应用情况,并给出了一些典型的图表数据。
关键词
微细加工
干法刻蚀
制板
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职称材料
提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法
4
作者
张友渝
江泽流
+3 位作者
宗婉华
王文喜
张大立
王民娟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期431-436,共6页
本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Si镇流电阻法。
关键词
FEA
冷阴极
Spindt型
发射均匀性
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职称材料
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
5
作者
罗四维
王维军
+1 位作者
江泽流
刘玉贵
《微纳电子技术》
CAS
2003年第2期39-41,共3页
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩...
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。
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关键词
电子束
光学制版技术
GAAS器件
掩模版
干法刻蚀
电荷积累效应
砷化镓
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职称材料
亚半微米铬掩模版制作技术研究
6
作者
王维军
罗四维
+1 位作者
江泽流
刘玉贵
《微纳电子技术》
CAS
2002年第2期43-45,共3页
介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
关键词
电子束制版
亚半微米
混合制版
PMMA电子束抗蚀剂
干法刻蚀
掩模版
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职称材料
用MoSi薄膜制作高性能VLSI光掩模
7
作者
江泽流
《半导体情报》
1992年第5期59-62,共4页
1 引言在目前的VLSI生产中,图形的复印手段仍是以紫外(UV)光刻系统为主。随着准分子步进光刻的研制成功,可使光学光刻的分辨率达到0.5μm以下,因此,VLSI的器件特征尺寸可再缩小,集成密度可进一步提高。
关键词
集成电路
VLSI
光刻
工艺
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职称材料
国产电子束正抗蚀剂的实用化研究
8
作者
江泽流
罗四维
+1 位作者
吴翠英
邵美姑
《半导体情报》
1989年第4期12-18,共7页
简述了电子束曝光技术及电子束抗蚀剂在微电子器件制造中的重要性,着重介绍了电子束正性抗蚀剂P(MMA-MAA)的研制过程及为使之达到实用化所进行的各项研究及其结果和应用情况。
关键词
电子束正抗蚀剂
光刻
微电子
曝光
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职称材料
用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形
9
作者
王维军
江泽流
《半导体情报》
1994年第2期64-64,F003,共2页
用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的P.B.Fischer和S.Y.Chou等人利用一台JE-OIL-840A型扫描电镜(SEM)改装成一台电子束直接光刻...
用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的P.B.Fischer和S.Y.Chou等人利用一台JE-OIL-840A型扫描电镜(SEM)改装成一台电子束直接光刻系统,采用Ni/Au剥离工艺,在大...
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关键词
扫描电镜
光刻机
电子束光刻
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职称材料
采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻
10
作者
Hideyuki Jinbo
江泽流
《半导体情报》
1992年第5期26-30,共5页
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器...
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸很少的方孔图形,可采用一对移相器边缘线掩模和负性抗蚀剂,通过两次重叠曝光法来制作。使第二个曝光掩模上的移相器边缘线与第一个曝光掩模上的移相器边缘线构成直角正交,于是,在大于1.5μm的聚焦范围内,在两边缘线的交叉处,即可成功地形成0.2μm的方孔图形。用同样的方法及正性抗蚀剂(PFR-TT15),如果留膜厚度没有损耗,0.2μm尺寸的柱图形也可制作出来。
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关键词
移相器
移相掩模技术
光刻
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职称材料
题名
电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用
1
作者
刘玉贵
王维军
罗四维
江泽流
机构
河北半导体研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第4期42-43,共2页
文摘
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
关键词
电子束直写直栅
T形栅工艺技术
电子束曝光技术
GAAS器件
Keywords
EB exposure
sub-half-micron gate
sub-half-micron direct-writing gate T-shape gate
GaAs devices
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
喷雾显影技术在亚微米制版中的应用研究
2
作者
江泽流
机构
机电部第十三研究所
出处
《微细加工技术》
1991年第2期41-47,共7页
文摘
阐述了离心式中心喷雾显影工艺技术在精细图形制作中的重要性,实验装置、工作原理、工艺参数选择、实验结果以及在制版中的应用实例。
关键词
喷雾显影
亚微米制版
应用
Keywords
Centrifugal on-center spray developing
Submicron mask fabrication
分类号
TN305.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
微细制版中的干法刻蚀技术研究
3
作者
江泽流
机构
石家庄机电部十三所
出处
《电子工艺技术》
1991年第5期11-14,共4页
文摘
本文简述了干法刻蚀在微细制版,特别是电子束制版中的重要性,较详尽地介绍了本研究所用的实验装置,刻触原理,工艺参数选择,实验结果及应用情况,并给出了一些典型的图表数据。
关键词
微细加工
干法刻蚀
制板
分类号
TN405.98 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法
4
作者
张友渝
江泽流
宗婉华
王文喜
张大立
王民娟
机构
河北半导体研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第6期431-436,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文提出采用栅孔直径整匀法以及改进的纵向高阻Si镇流电阻法。
关键词
FEA
冷阴极
Spindt型
发射均匀性
Keywords
Electron emission
Resistors
分类号
TN14 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
5
作者
罗四维
王维军
江泽流
刘玉贵
机构
河北半导体研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2003年第2期39-41,共3页
文摘
介绍了用光学制版设备制作GaAs器件光刻中除栅条掩模版外的其它各层掩模版,用高分辨率电子束制版设备制作线宽≤0.5μm、并能与光学设备制作的各层掩模版精确套刻的栅条掩模版,即电子束与光学混合制版技术。对解决两类制版系统制作的掩模版精确互套的方法、干法刻蚀等工艺过程做了必要的阐述。
关键词
电子束
光学制版技术
GAAS器件
掩模版
干法刻蚀
电荷积累效应
砷化镓
Keywords
mix & match plate-making technology
charge accumulation effect
anisotropy of dry etching
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
亚半微米铬掩模版制作技术研究
6
作者
王维军
罗四维
江泽流
刘玉贵
机构
河北半导体研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
2002年第2期43-45,共3页
文摘
介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。
关键词
电子束制版
亚半微米
混合制版
PMMA电子束抗蚀剂
干法刻蚀
掩模版
Keywords
EB lithography
sub-half-micron
mix&match method
PMMA
dry etching
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
用MoSi薄膜制作高性能VLSI光掩模
7
作者
江泽流
出处
《半导体情报》
1992年第5期59-62,共4页
文摘
1 引言在目前的VLSI生产中,图形的复印手段仍是以紫外(UV)光刻系统为主。随着准分子步进光刻的研制成功,可使光学光刻的分辨率达到0.5μm以下,因此,VLSI的器件特征尺寸可再缩小,集成密度可进一步提高。
关键词
集成电路
VLSI
光刻
工艺
分类号
TN470.57 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
国产电子束正抗蚀剂的实用化研究
8
作者
江泽流
罗四维
吴翠英
邵美姑
机构
无锡化工研究所
出处
《半导体情报》
1989年第4期12-18,共7页
文摘
简述了电子束曝光技术及电子束抗蚀剂在微电子器件制造中的重要性,着重介绍了电子束正性抗蚀剂P(MMA-MAA)的研制过程及为使之达到实用化所进行的各项研究及其结果和应用情况。
关键词
电子束正抗蚀剂
光刻
微电子
曝光
分类号
TN405.7 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形
9
作者
王维军
江泽流
出处
《半导体情报》
1994年第2期64-64,F003,共2页
文摘
用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形美国明尼苏达大学电子工程系的P.B.Fischer和S.Y.Chou等人利用一台JE-OIL-840A型扫描电镜(SEM)改装成一台电子束直接光刻系统,采用Ni/Au剥离工艺,在大...
关键词
扫描电镜
光刻机
电子束光刻
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻
10
作者
Hideyuki Jinbo
江泽流
出处
《半导体情报》
1992年第5期26-30,共5页
文摘
本文提出了一种适于制作孤立图形的新的移相掩模方法,这种新的移相掩模仅由移相器图形组成。移相器的边缘线(PEL)起遮光掩蔽作用。光强计算表明:在相同的照明条件下,由移相器边缘线得到暗场,其光强分布比铬掩模的更为陡峭。采用移相器边缘线掩模及i线步进光刻机(镜头数值孔径NA=0.42,光相干因子σ=0.5),就可制作出线条(正性抗蚀剂)和间隔(负性抗蚀剂)尺寸≤0.2μm的抗蚀剂图形,图形线宽可通过曝光量进行控制。用LMR-UV负性抗蚀剂,在1.5μm宽的聚焦范围内,可制作出0.15μm宽的窗口图形。对特征尺寸很少的方孔图形,可采用一对移相器边缘线掩模和负性抗蚀剂,通过两次重叠曝光法来制作。使第二个曝光掩模上的移相器边缘线与第一个曝光掩模上的移相器边缘线构成直角正交,于是,在大于1.5μm的聚焦范围内,在两边缘线的交叉处,即可成功地形成0.2μm的方孔图形。用同样的方法及正性抗蚀剂(PFR-TT15),如果留膜厚度没有损耗,0.2μm尺寸的柱图形也可制作出来。
关键词
移相器
移相掩模技术
光刻
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子束直写直栅和T形栅工艺技术应用
刘玉贵
王维军
罗四维
江泽流
《微纳电子技术》
CAS
2002
0
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职称材料
2
喷雾显影技术在亚微米制版中的应用研究
江泽流
《微细加工技术》
1991
0
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职称材料
3
微细制版中的干法刻蚀技术研究
江泽流
《电子工艺技术》
1991
0
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职称材料
4
提高Spindt型场发射冷阴极阵列发射均匀性的方法
张友渝
江泽流
宗婉华
王文喜
张大立
王民娟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
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职称材料
5
电子束与光学混合制版技术在GaAs器件研制中的应用
罗四维
王维军
江泽流
刘玉贵
《微纳电子技术》
CAS
2003
0
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职称材料
6
亚半微米铬掩模版制作技术研究
王维军
罗四维
江泽流
刘玉贵
《微纳电子技术》
CAS
2002
0
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职称材料
7
用MoSi薄膜制作高性能VLSI光掩模
江泽流
《半导体情报》
1992
0
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职称材料
8
国产电子束正抗蚀剂的实用化研究
江泽流
罗四维
吴翠英
邵美姑
《半导体情报》
1989
0
下载PDF
职称材料
9
用SEM改装成的电子束光刻线宽10nm及套刻精度不足50nm的器件图形
王维军
江泽流
《半导体情报》
1994
0
下载PDF
职称材料
10
采用移相掩模技术实现≤0.2μmi线光刻
Hideyuki Jinbo
江泽流
《半导体情报》
1992
0
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职称材料
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