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计及运行工况的MMC换流阀可靠性建模与分析
被引量:
24
1
作者
李辉
邓吉利
+5 位作者
姚然
赖伟
康升扬
江泽申
李金元
李尧圣
《电力自动化设备》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期108-114,共7页
模块化多电平换流器(MMC)换流阀作为高压直流输电系统的核心设备,其可靠性关系到整个输电系统的安全稳定运行。以典型高压直流输电MMC换流阀为例,考虑换流阀运行工况,建立基于故障树分析方法的MMC换流阀的可靠性模型,并对其薄弱环节进...
模块化多电平换流器(MMC)换流阀作为高压直流输电系统的核心设备,其可靠性关系到整个输电系统的安全稳定运行。以典型高压直流输电MMC换流阀为例,考虑换流阀运行工况,建立基于故障树分析方法的MMC换流阀的可靠性模型,并对其薄弱环节进行分析。首先,建立融入换流阀运行工况IGBT、二极管等元件的故障率模型;其次,考虑MMC换流阀功率模块和外围控制保护系统等,运用故障树分析方法,建立MMC换流阀故障树模型,得到相应可靠性指标的表达式;最后,根据可靠性指标公式计算各元件的故障率,采用概率灵敏度和关键灵敏度指标,辨识MMC换流阀的薄弱环节。结果表明:在整流和逆变工况下,MMC换流阀和元件的故障率最大,而在纯无功工况下故障率最小; IGBT模块和电源供给是MMC换流阀的薄弱环节,MMC子模块性能对换流阀可靠性的影响最为显著。
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关键词
高压直流输电
MMC换流阀
运行工况
故障树
可靠性模型
薄弱环节
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职称材料
单芯片压接式IGBT老化试验及失效机理研究
被引量:
4
2
作者
江泽申
李辉
+1 位作者
冉立
赖伟
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2018年第11期118-121,共4页
针对现有的多芯片压接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)平台难以监测每个芯片运行情况的问题,通过参考焊接型IGBT相关的试验控制策略、试验流程和数据采集,进行了可控压力的单芯片压接式IGBT模块的功率循环平台试验设计研究,通过功率循环试...
针对现有的多芯片压接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)平台难以监测每个芯片运行情况的问题,通过参考焊接型IGBT相关的试验控制策略、试验流程和数据采集,进行了可控压力的单芯片压接式IGBT模块的功率循环平台试验设计研究,通过功率循环试验研究了不同压力下压接式IGBT的失效机理,得到了单芯片模块可能的主要失效模式和模块的薄弱环节。试验结果表明,单芯片压接式IGBT模块的主要失效模式是微动磨损和栅氧化层损坏,模块的薄弱环节在于芯片与下钼层之间、栅极弹簧顶针与栅极接触处。该研究可为使用压接式IGBT的换流阀、断路器等设备的安全评估和可靠性监控等方面提供理论参考和数据支撑。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
压接式
失效
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职称材料
题名
计及运行工况的MMC换流阀可靠性建模与分析
被引量:
24
1
作者
李辉
邓吉利
姚然
赖伟
康升扬
江泽申
李金元
李尧圣
机构
重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室
全球能源互联网研究院有限公司先进输电技术国家重点实验室
出处
《电力自动化设备》
EI
CSCD
北大核心
2018年第10期108-114,共7页
基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0901804)
重庆市研究生科研创新项目(CYB18008)~~
文摘
模块化多电平换流器(MMC)换流阀作为高压直流输电系统的核心设备,其可靠性关系到整个输电系统的安全稳定运行。以典型高压直流输电MMC换流阀为例,考虑换流阀运行工况,建立基于故障树分析方法的MMC换流阀的可靠性模型,并对其薄弱环节进行分析。首先,建立融入换流阀运行工况IGBT、二极管等元件的故障率模型;其次,考虑MMC换流阀功率模块和外围控制保护系统等,运用故障树分析方法,建立MMC换流阀故障树模型,得到相应可靠性指标的表达式;最后,根据可靠性指标公式计算各元件的故障率,采用概率灵敏度和关键灵敏度指标,辨识MMC换流阀的薄弱环节。结果表明:在整流和逆变工况下,MMC换流阀和元件的故障率最大,而在纯无功工况下故障率最小; IGBT模块和电源供给是MMC换流阀的薄弱环节,MMC子模块性能对换流阀可靠性的影响最为显著。
关键词
高压直流输电
MMC换流阀
运行工况
故障树
可靠性模型
薄弱环节
Keywords
HVDC power transmission
MMC converter valves
operation conditions
fault tree
reliability model
weak parts
分类号
TM721.1 [电气工程—电力系统及自动化]
TM46 [电气工程—电器]
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职称材料
题名
单芯片压接式IGBT老化试验及失效机理研究
被引量:
4
2
作者
江泽申
李辉
冉立
赖伟
机构
重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2018年第11期118-121,共4页
基金
国家重点研发计划(2016YFB0901804)
重庆市研究生科研创新项目(CYB17008)~~
文摘
针对现有的多芯片压接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)平台难以监测每个芯片运行情况的问题,通过参考焊接型IGBT相关的试验控制策略、试验流程和数据采集,进行了可控压力的单芯片压接式IGBT模块的功率循环平台试验设计研究,通过功率循环试验研究了不同压力下压接式IGBT的失效机理,得到了单芯片模块可能的主要失效模式和模块的薄弱环节。试验结果表明,单芯片压接式IGBT模块的主要失效模式是微动磨损和栅氧化层损坏,模块的薄弱环节在于芯片与下钼层之间、栅极弹簧顶针与栅极接触处。该研究可为使用压接式IGBT的换流阀、断路器等设备的安全评估和可靠性监控等方面提供理论参考和数据支撑。
关键词
绝缘栅双极型晶体管
压接式
失效
Keywords
insulated gate bipolar transistor
press-pack
failure
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
计及运行工况的MMC换流阀可靠性建模与分析
李辉
邓吉利
姚然
赖伟
康升扬
江泽申
李金元
李尧圣
《电力自动化设备》
EI
CSCD
北大核心
2018
24
下载PDF
职称材料
2
单芯片压接式IGBT老化试验及失效机理研究
江泽申
李辉
冉立
赖伟
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
2018
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
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