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聚合物半导体PAn表面场效应管
1
作者
袁仁宽
杨树成
+4 位作者
袁宏
江若莲
郑有炓
钱辉作
桂德成
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第12期743-747,共5页
本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。
关键词
聚合物半导体
场效应晶体管
表面场
下载PDF
职称材料
题名
聚合物半导体PAn表面场效应管
1
作者
袁仁宽
杨树成
袁宏
江若莲
郑有炓
钱辉作
桂德成
机构
南京大学物理系
南京电子器件研究所
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993年第12期743-747,共5页
文摘
本文报道了采用特殊的器件和工艺设计研制的聚合物半导体(PAn)表面场效应晶体管。其中,PAn膜为半导体层;两个相距20微米的金电极作源、漏;硅片为栅;热氧化二氧化硅膜做绝缘层。本文对PAn表面场效应晶体管的特性进行了测试和分析。
关键词
聚合物半导体
场效应晶体管
表面场
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
聚合物半导体PAn表面场效应管
袁仁宽
杨树成
袁宏
江若莲
郑有炓
钱辉作
桂德成
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1993
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