氢氟酸清洗时间对GaAs柱阵列光电阴极的影响

随着电子加速器技术的不断发展,对注入器的要求也越来越高,作为注入器的核心部件,性能优异的光电阴极决定了束流的质量。伴随着纳米加工手段的不断进步和纳米光子学的不断发展,设计并制备出具有纳米柱阵列的光电GaAs阴极,与平面GaAs光电阴极相比,柱阵列GaAs光电阴极因其可以产生光学共振效应,增加吸收光的面积和可吸收更多的光子能量,所以具有更高的量子效率。目前,阻碍其进一步发展的主要问题是其表面易氧化且易吸附碳活性物,导致在Cs/O激活时无法获得原子级清洁表面,使其量子效率降低和寿命缩短。为了去除表面氧化物,采用氢氟酸作为清洗试剂,在其他条件不变的前提下,量子效率和光照寿命随清洗时间的延长而增加,但是其表面形貌也会随着清洗时间的延长而发生不同程度的破坏。