WO_3基H_2S气敏材料的研究

采用正交试验法和单水平试验法研究了热处理温度及掺杂元素对ＷＯ３ 基Ｈ２Ｓ气敏元件灵敏度、选择性、稳定性、响应恢复特性及元件阻值的影响，得到了较为理想的Ｈ２Ｓ气敏元件． 根据提出的气敏机理模型较好地解释了热处理温度、掺杂氧化物酸碱性及催化活性等对Ｈ２Ｓ气体灵敏度的影响．

氨气泄漏检测材料的研究

简述了氯气等制冷工业中的化学气体的性质与检测方法。详细研究了 Ｗ Ｏ３ 系半导体氨敏材料及元件的敏感特性，对 Ｉｎ２ Ｏ３ 、 Ｓｎ Ｏ２ 等半导体氨敏材料也进行了探讨。