Mn掺杂SnO_2一维纳米结构的制备、形貌及光学性质

用化学气相沉积(CVD)法制备了Mn掺杂的SnO2一维纳米结构(纳米线及纳米带),X射线衍射(XRD)显示样品为金红石型SnO2晶体,其生长机理可分别归结为气-液-固(VLS)和气-固(VS)机理,生长温度和气态原料浓度的差别是造成样品形貌及生长机理不同的主要原因.样品的拉曼谱出现了500、543、694和720cm-1四个新拉曼谱峰,分别是由活性的红外模和表面模引起的.纳米线及纳米带发光峰位于520nm处,发光强度随样品中氧空位的增减出现由强到弱的变化.

Co-Ta-O颗粒膜的磁电阻效应研究

利用射频共溅射方法制备了一系列 Co- Ta- O介质颗粒膜 ,用 X射线能量色散谱和 X射线光电子谱分析了薄膜的成分和元素价态 ,用 X射线衍射测量了薄膜的晶体结构 .结果表明 ,Co- Ta-O颗粒膜系是由 Co颗粒镶嵌在非晶的氧化钽绝缘介质中而形成 .通过改变制备条件 ,研究了溅射电压和 Co成分对颗粒膜隧道磁电阻效应的影响 .发现磁电阻比值先随 Co成分的增加而增加 ,在Co原子个数比为 2 6 %时达最大值 ,后随 Co成分的进一步增加而减小 ;在 Co成分一定的情况下 ,低的溅射电压有利于获得大的隧道磁电阻比值 .

La_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3磁性的Preisach模拟

用溶胶-凝胶法制备了多晶La0.7Sr0.3MnO3块状样品。利用超导量子磁强计测量了样品在不同状态下的场冷却、零场冷却、等温剩磁、热剩磁曲线以及磁滞回线,分析得到了样品的技术磁化参数。用相同的一套参数,利用基于双势阱的Preisach模型再现了样品所有的磁测量曲线,得到了耗散场的大小和分布。

不连续Fe_(25)Ni_(75)/SiO_2多层膜的微结构和隧道磁电阻效应

用射频磁控溅射技术制备了[SiO2(t1)/Fe25Ni75(t2)]N多层膜系列(其中t1和t2分别代SiO2层和Fe25Ni75层的厚度,N代表层数).研究发现,对[SiO2(3.3nm)/Fe25Ni75(t2)]10系统,当Fe25Ni75层厚度小于2.4nm时,Fe25Ni75层从连续变为不连续;当Fe25Ni75层不连续时,InR基本上正比于T-1/2,表明导电机制为热激发的隧穿导电;在t2=2.1nm时,隧道磁电阻(TMR)有极大值,为-0.64%.对[SiO2(1.8nm)/Fe25Ni75(1.6nm)]N系统,发现磁电阻先随着层数的增加而增加,然后趋于饱和.

Fe_(0.05)Sn_(0.95)O_2纳米线的微结构、电性和磁性

用化学气相沉积法(CVD)制备了Fe0.05Sn0.95O2纳米线,用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、振动样品磁强计(VSM)和光致发光(PL)等技术研究了样品的微结构和磁性.由XRD测试结果知Fe0.05Sn0.95O2纳米线为四方金红石结构,并且没有观察到Fe和Fe的氧化物的衍射峰.电性测量获得单根纳米线的电阻率为0.029·cm,载流子浓度为7.6×1017/cm3.VSM的测量结果表明Fe0.05Sn0.95O2纳米线具有室温铁磁性,光致发光测得其发光峰分别位于543nm和611nm;样品在真空中退火后,位于543nm的发光峰发光强度增强,磁性也增强.

FeCo-SiO_2颗粒膜的磁性和隧道磁电阻效应

利用射频共溅射的方法制备了不同金属含量fv的Fe-SiO2金属-绝缘体颗粒膜, 系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻(TMR)效应. 在fv = 0.33处得到最大磁电阻值为- 3.3%. 在同样的制备条件下保持fv = 0.33, 用Co取代Fe得到一系列的(Fe100 -xCox)0.33(SiO)2)0.67的颗粒膜. 对其TMR的研究发现在x = 53时得到最大的磁电阻值- 4.5%, 且Co对Fe的替代基本没有影响薄膜的微结构. 由Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率P和Co的原子百分数x的关系曲线和实验测得的TMR-x曲线具有相似的变化趋势. 表明在FeCo-SiO2膜中由于磁性颗粒自旋极化率P的提高而使TMR变大.