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乳酸杆菌A09吸附还原Ag(Ⅰ)的谱学表征 被引量:28
1
作者 傅锦坤 刘月英 +4 位作者 古萍英 汤丁亮 林种玉 姚炳新 翁绳周 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第9期779-782,共4页
Some characteristics of Ag+ biosorption and bioreduction by Lactobacillus sp. A09 biomass were reported. The optimum pH value of Ag+ biosorption by strain A09 was 4.5. Temperature(6~ 50 ℃ ) did not affect the bios... Some characteristics of Ag+ biosorption and bioreduction by Lactobacillus sp. A09 biomass were reported. The optimum pH value of Ag+ biosorption by strain A09 was 4.5. Temperature(6~ 50 ℃ ) did not affect the biosorption. The biosorptive efficiency (91% ) and biosorptive capacity(Ag+ 125 mg· g- 1 dry weight biomass ) were achieved under the conditions of Ag+ 100 mg· L- 1, biomass 800 mg· L- 1, pH 4.5 and 30 ℃ for 24 h contact. TEM analysis indicated that A09 biomass could reduce Ag+ to Ag0 as Ag particles on the surface of cells. IR spectroscopy showed that - CO2- and - HN- C=O on the surface of cells may involve in the precession for adsorbing Ag+ . 展开更多
关键词 乳酸杆菌 生物吸附 生物还原 摄影废液 回收
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啤酒酵母废菌体吸附Pd^(2+)的物理化学特性 被引量:19
2
作者 刘月英 杜天生 +4 位作者 陈平 汤丁亮 倪子绵 古萍英 傅锦坤 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第12期2248-2251,共4页
以啤酒酿造厂的啤酒酵母废菌体为生物吸附剂 ,研究死的啤酒酵母菌体从 Pd Cl2 溶液中吸附 Pd2 + 的物理化学特性 .结果表明 ,该菌体吸附 Pd2 +受吸附时间、溶液 p H值、菌体浓度和 Pd2 +起始浓度等因素的影响 .菌体吸附 Pd2 + 是个快速... 以啤酒酿造厂的啤酒酵母废菌体为生物吸附剂 ,研究死的啤酒酵母菌体从 Pd Cl2 溶液中吸附 Pd2 + 的物理化学特性 .结果表明 ,该菌体吸附 Pd2 +受吸附时间、溶液 p H值、菌体浓度和 Pd2 +起始浓度等因素的影响 .菌体吸附 Pd2 + 是个快速的过程 ,吸附 45 min时吸附量达最大 ,但在最初的 3 min内 ,吸附量可达到最大吸附量的 92 % .在 5~ 60℃范围内 ,吸附作用不受温度影响 .吸附作用的最适 p H值为 3 .5 .在 Pd2 + 起始质量浓度为 3 0~ 3 0 0 mg/L范围内和菌体质量浓度为 2 g/L的条件下 ,菌体对 Pd2 + 的吸附作用符合 Langmuir和 Freundlich等温吸附模型 .在 p H=3 .5 ,Pd2 +与菌体质量比为 0 .2和 3 0℃条件下吸附 60 min,吸附量达94.5 mg/g.从废钯催化剂处理液回收钯 ,吸附量为 3 2 .2 mg/g.XPS分析表明 ,该菌体能吸附水溶液中的Pd2 + .TEM结果表明 ,在无外加电子供体时 ,死的啤酒酵母废菌体能够吸附和还原溶液中的 Pd2 + 成 Pd0 微粒 ,Pd0微粒可进一步形成有一定形状的钯晶粒 ;该菌体还能使吸附在 γ-Al2 O3 上的 Pd2 +还原成 Pd0 . 展开更多
关键词 啤酒酵母废菌体 生物吸附剂 Pd^2+ 物理化学 非酶促生物还原 废水处理 工业废水
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多弧离子镀TiN与不同金属基材间的接触界面与表面特性 被引量:8
3
作者 徐富春 王水菊 +3 位作者 林秀华 汤丁亮 张棋河 薛茹 《Chinese Journal of Chemical Physics》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第1期69-74,共6页
用多弧离子镀技术在不同金属基材上进行TiN镀膜实验 ,制备了TiN/Fe、TiN/Cu和TiN/Cr/Cu复合膜 .借助扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射仪 (XRD)和光电子能谱 (XPS) ,研究了TiN与Fe、Cu和Cr/Cu三种不同衬底接触界面的形貌、结构及其表面特... 用多弧离子镀技术在不同金属基材上进行TiN镀膜实验 ,制备了TiN/Fe、TiN/Cu和TiN/Cr/Cu复合膜 .借助扫描电子显微镜 (SEM)、X射线衍射仪 (XRD)和光电子能谱 (XPS) ,研究了TiN与Fe、Cu和Cr/Cu三种不同衬底接触界面的形貌、结构及其表面特性 .SEM观察发现 ,在一定离子镀膜条件下 ,TiN涂层可与Fe、Cu和Cr/Cu金属基材形成均匀平整的接触界面 ,在铜基上TiN界面清晰 ,在Fe与Cr/Cu界面有明显的层状晶界微结晶分布 .XRD分析显示 ,Fe、Cu和Cr/Cu表面生成的薄膜都包含TiN、Ti2 N等多晶相 ,在Cr/Cu界面还包含Ti-Cr的金属间化合物 .XPS结果表明 ,表面除了TiN膜外 ,还生成TiO2 和TiOxNy 等氧化膜 .Ar+ 刻蚀 5min后 ,TiO2 消失 ,TiOxNy 减少 ,TiN则呈增加趋势 .TiN与Cr/Cu界面形成明显的Ti-Cr和Cr-Ni互扩散层 ,这有助于增强薄膜附着力 ,形成较牢固的TiN涂层 . 展开更多
关键词 多弧离子镀 氮化钛 接触界面 表面特性 金属基材 表面处理 薄膜
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农用光转换材料结构的剖析 被引量:6
4
作者 王水菊 林小榕 +5 位作者 柳兆洪 陈谋智 刘瑞堂 汤丁亮 徐富春 张棋河 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第5期608-611,共4页
用高温固相反应法制备 Ca S∶ Cu,Eu农用光转换材料 ,运用 XRD和透射光谱技术对材料的微晶结构进行研究 ,获得 Ca S∶ Cu,Eu荧光材料构态与光转换效率关系的信息 ,为光转换材料及其相应的光转换农膜的迅速发展提供依据 .
关键词 固相反应法 光转换材料 微晶结构 农用材料
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稻草皮层硅化物的XPS研究(Ⅰ) 被引量:2
5
作者 邱玉桂 陈春霞 +1 位作者 欧海龙 汤丁亮 《中国造纸学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第3期1-5,共5页
对稻草茎部和叶鞘的外表面及穗轴等进行了皮层硅化物的X射线光电子能谱(XPS)研究。结果表明,所研究的几个部位皮层中,自外至里,硅化物的含量及分布具有相同的规律性;茎部皮层外表面硅化物的含量(面积)最低,但半峰宽则比皮层内部高;叶鞘... 对稻草茎部和叶鞘的外表面及穗轴等进行了皮层硅化物的X射线光电子能谱(XPS)研究。结果表明,所研究的几个部位皮层中,自外至里,硅化物的含量及分布具有相同的规律性;茎部皮层外表面硅化物的含量(面积)最低,但半峰宽则比皮层内部高;叶鞘及穗轴的皮层外表面硅化物的含量及半峰宽均比其皮层内部低。初步测定表明,所有部位中的硅化物均为无机硅化物,不同部位硅化物的组成不同;但各测定点的半峰宽都明显高于基准值1.57,说明在测定范围内的硅化物均是由两种或两种以上的硅化物组成的。因此,对各部位的S i2P峰均需进行分峰拟合分析才能得到正确的结果。 展开更多
关键词 稻草皮层 硅化物含量及组成 XPS 半峰宽 分峰拟合
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计算活性炭比表面积的理论模型 被引量:1
6
作者 陈瑞英 汤丁亮 谢拥群 《福建林学院学报》 CSCD 北大核心 2003年第4期289-292,共4页
在分析比较各种吸附理论的基础上,介绍5种可用于计算活性炭比表面积的吸附等温方程式,并实际计算6种不同类型活性炭的比表面积.结果表明:不同吸附等温式之间的差异在16%以内.
关键词 活性炭 比表面积 吸附理论 吸附等温方程式
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电子能谱仪多通道信号系统升级改造 被引量:1
7
作者 王水菊 陈宝珠 +4 位作者 张棋河 徐富春 汤丁亮 何炜 彭澎 《福建分析测试》 CAS 2001年第2期1412-1414,共3页
一种电子能谱仪多通道数据收集系统升级方案。在SSA(球扇型能量分析器)出口处以多通道板或多只电子倍增器代替单只倍增器,信号经过多路前置放大器后进入电脑,经移位合成后输出所需谱图,其灵敏度为原信号的多倍且分辨率有所提高。
关键词 电子能谱仪 多通道信号系统 升级改造
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不同镀膜温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触界面形成与表面特性
8
作者 徐富春 王水菊 +4 位作者 林秀华 倪子绵 薛茹 汤丁亮 刘新 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期306-310,共5页
使用多弧离子镀在铜基镀Cr的衬底上制备TiN薄膜 ,借助表面分析技术研究了不同温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触的界面与表面性质 .通过SEM、TEM观测表面形貌 ,微结构随温度变化 ;用AES和XPS测量接触界面成分随温度的变化 .结果表明 ,在 90℃... 使用多弧离子镀在铜基镀Cr的衬底上制备TiN薄膜 ,借助表面分析技术研究了不同温度下离子镀TiN与Cr/Cu接触的界面与表面性质 .通过SEM、TEM观测表面形貌 ,微结构随温度变化 ;用AES和XPS测量接触界面成分随温度的变化 .结果表明 ,在 90℃下 ,表面TiN薄膜欠均匀 ,界面较清晰可辨 ;随着温度的升高 ,表面微结晶性能有所改善 ,在 170℃时可见局部球聚隆起 ,出现粗细不同的类枝状结晶结构 ,此时TiN与Cr/Cu界面层增厚 ,形成较为稳定的Ti Cr金属间化合物 .TiN薄膜在金属衬底上的生长行为与衬底表面的原子结构、晶向 ,以及TiN与金属间的电荷转移和键合状况有关 ,适当的衬底温度 (12 0℃ )可以改变TiN形貌 ,改善其机械性能 . 展开更多
关键词 镀膜温度 表面特性 多弧离子镀 TIN Cr/Cu 接触界面 氮化钛薄膜 铬/铜合金
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智能剥离制备GOI材料 被引量:2
9
作者 赖淑妹 毛丹枫 +3 位作者 陈松岩 李成 黄巍 汤丁亮 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2017年第3期441-449,共9页
绝缘体上锗(Germanium-on-Insulator,GOI)结合了Ge材料及SOI(Silicon-on-Insulator)结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独特的全介质隔离结构可以避免短沟道效应,降低寄生电容和结... 绝缘体上锗(Germanium-on-Insulator,GOI)结合了Ge材料及SOI(Silicon-on-Insulator)结构的优点,是一种极具吸引力的Si基新型材料.GOI材料不仅具有高的电子和空穴迁移率,同时其独特的全介质隔离结构可以避免短沟道效应,降低寄生电容和结漏电流.首先研究不同表面处理方法对体Ge与SiO2/Si晶片键合强度的影响,实验结果显示采用N2等离子体活化处理结合氨水溶液(NH4OH∶H2O=1∶10)亲水性处理,所得到的体Ge与SiO2/Si晶片的键合效果较好,其键合强度>3.8 MPa.利用智能剥离技术(Smart-Cut TM)制备了绝缘体上锗材料.SEM测试显示GOI材料键合质量良好,界面清晰平整,并且Ge层大部分面积无空洞.实验分析得到GOI材料的压应力及XRD(004)摇摆曲线中Ge峰的不对称是由GOI表面的注氢损伤层引起的.真空500℃退火30min对于注入损伤层的应力具有释放作用,但无法修复注入损伤.用溶液(NH4OH∶H2O2∶H2O=1∶1∶10)腐蚀去除注入损伤层后,应力层被去除,并且获得Ge峰半高宽仅为70.4arc sec的GOI材料. 展开更多
关键词 晶片键合 智能剥离 绝缘体上锗(GOI) 退火 腐蚀 半高宽
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Ti-Si复氧化物载体对金催化剂上丙烯环氧化的影响 被引量:1
10
作者 戴茂华 汤丁亮 袁友珠 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2006年第12期1063-1068,共6页
以TiCl4和SiCl4为原料,采用水解和非水水解溶胶-凝胶两种方法制备了一系列不同Ti含量的Ti—Si复氧化物载体,继而用沉积-沉淀法制得载金催化剂.采用X射线衍射、紫外-可见漫反射光谱、N2吸附和高分辨透射电镜对催化剂进行了表征,并考... 以TiCl4和SiCl4为原料,采用水解和非水水解溶胶-凝胶两种方法制备了一系列不同Ti含量的Ti—Si复氧化物载体,继而用沉积-沉淀法制得载金催化剂.采用X射线衍射、紫外-可见漫反射光谱、N2吸附和高分辨透射电镜对催化剂进行了表征,并考察了催化剂在氢气和氧气存在下的丙烯气相环氧化催化性能.研究表明,钛含量在6%~14%范围内时,两种方法制得的Ti—Si复氧化物均为无定形结构,但采用非水水解溶胶-凝胶法制得的载体比表面积较高.以非水水解溶胶-凝胶法制备的钛含量10%的Ti—Si复氧化物为载体得到的载金催化剂表现出较高的活性和选择性,反应60min时,丙烯转化率为5.7%,240min后降为3.3%,环氧丙烷的选择性稳定于95%左右.还考察了非水水解溶胶-凝胶的陈化时间和金沉积-沉淀溶液的pH值等对反应结果的影响. 展开更多
关键词 非水水解 溶胶-凝胶 氧化钛 氧化硅 复氧化物 丙烯 环氧化 环氧丙烷
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合金条件对Al/n^+-Ge欧姆接触的影响
11
作者 林旺 阮育娇 +3 位作者 陈松岩 李成 赖虹凯 汤丁亮 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第7期530-535,共6页
Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3~1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P... Ge比Si具有更高的电子和空穴迁移率,且Ge材料可以应用于1.3~1.5μm近红外波段,因此Ge成为制备微电子和光电子器件的主要材料。然而由于Ge的费密能级钉扎效应以及难以获得高浓度的磷(P)原位掺杂,使得n-Ge的欧姆接触成为一个难题。采用P+离子注入获得高掺杂浓度的n-Ge材料,掺杂浓度为1.5×1019cm-3;依据圆形传输线模型(CTLM)制备了一系列Al/n+-Ge样品,研究了不同退火温度和退火方式对其接触特性的影响。实验结果表明,Al/n+-Ge样品通过400℃快速热退火(RTA)30 s表现出欧姆接触特性,并且接触电阻率ρc最低,为1.3×10-5Ω·cm2。 展开更多
关键词 AL n+-Ge接触 离子注入 退火 圆形传输线模型(CTLM) 接触电阻率
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ICP刻蚀HgCdTe表面的微区XPS分析
12
作者 郭靖 叶振华 +2 位作者 胡晓宁 汤丁亮 王水菊 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2005年第11期832-834,共3页
文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析... 文章将ICP刻蚀技术应用于刻蚀HgCdTe,使用微区X射线光电子光谱学(XPS)、扫描电子显微镜(SEM)等表面分析技术研究了ICP各工艺参数,包括ICP功率、气体成分与配比、腔体压力等对刻蚀表面形貌、刻蚀后表面成分、聚合物形成的影响。XPS分析结果发现,使用光刻胶作掩模时,刻蚀气体CH4会与光刻胶发生反应,生成物可能为C6H5(CH3)。如果腔体压力较高,生成物不能及时被带走,就会附着在样品表面上,使样品表面发黑;当腔体压力较低时,生成物被及时带走,则样品表面光亮,无聚合物残留。光刻胶也会与H2发生反应,生成多种含C有机物。SiO2作掩模时,在一定的条件下,CH4会与SiO2或者真空硅脂发生反应,生成聚脂薄膜。 展开更多
关键词 刻蚀 HGCDTE 光电子光谱学 扫描电镜
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合成低碳醇用超细Mo-Co-K催化剂的XPS研究 被引量:3
13
作者 张业 李永旺 +4 位作者 孙予罕 钟炳 汤丁亮 徐富春 王水菊 《催化学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2000年第2期109-112,共4页
采用XPS技术对氧化态及还原态超细Mo Co K催化剂进行了研究 .结果表明 ,在氧化态超细Mo Co K催化剂中 ,钼和钴分别以Mo6 +和Co2 +物种存在 ,催化剂中各物种之间存在着相互作用 ;随着Co/Mo比的增大 ,还原态催化剂中Mo4+物种的含量逐渐增... 采用XPS技术对氧化态及还原态超细Mo Co K催化剂进行了研究 .结果表明 ,在氧化态超细Mo Co K催化剂中 ,钼和钴分别以Mo6 +和Co2 +物种存在 ,催化剂中各物种之间存在着相互作用 ;随着Co/Mo比的增大 ,还原态催化剂中Mo4+物种的含量逐渐增大并出现极大值 ;催化剂上合成低碳醇反应性能与其表面的Mo4+物种有关 .将催化剂表面的Mo4+物种含量与其合成低碳醇选择性进行关联 ,发现二者存在着很好的对应关系 .此外 ,对超细Mo Co 展开更多
关键词 合成 低碳醇 多金属催化剂
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电磁继电器触点表面的SEM和XPS研究 被引量:6
14
作者 徐富春 王水菊 +3 位作者 汤丁亮 张棋河 林秀华 陆宁懿 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第4期857-861,共5页
使用 X射线光电子能谱 (XPS)和扫描电子显微镜 (SEM)等表面分析方法 ,研究未启封、使用过未失效和使用过失效的继电器触点表面的形貌、组份和结构 .结果表明 ,经过使用后触点表面烧蚀严重并发生磨损 ,其组份中含 Ag、Sn、C和 O等原子 .C... 使用 X射线光电子能谱 (XPS)和扫描电子显微镜 (SEM)等表面分析方法 ,研究未启封、使用过未失效和使用过失效的继电器触点表面的形貌、组份和结构 .结果表明 ,经过使用后触点表面烧蚀严重并发生磨损 ,其组份中含 Ag、Sn、C和 O等原子 .C和 O的 XPS峰显示 ,触点表面氧化膜和碳化物的形成 ,导致接触电阻增大 。 展开更多
关键词 电磁继电器 触点表面 光电子能谱 扫描电子显微镜
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Plasma electrolytic liquefaction of cellulosic biomass
15
作者 汤丁亮 张先徽 杨思泽 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第4期8-16,共9页
In this paper, the rapid liquefaction of a corncob was achieved by plasma electrolysis, providing a new method for cellulosic biomass liquefaction. The liquefaction rate of the corncob was 95% after 5 min with polyeth... In this paper, the rapid liquefaction of a corncob was achieved by plasma electrolysis, providing a new method for cellulosic biomass liquefaction. The liquefaction rate of the corncob was 95% after 5 min with polyethylene glycol and glycerol as the liquefying agent. The experiments not only showed that H^+ ions catalyzed the liquefaction of the corncob, but also that using accelerated H^+ ions, which were accelerated by an electric field, could effectively improve the liquefaction efficiency. There was an obvious discharge phenomenon, in which the generated radicals efficiently heated the solution and liquefied the biomass, in the process of plasma electrolytic liquefaction. Finally, the optimum parameters of the corncob liquefaction were obtained by experimentation, and the liquefaction products were analyzed. 展开更多
关键词 PLASMA electrolysis liquefaction CELLULOSIC biomass POLYOLS
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GaN基LED与Si键合技术的研究 被引量:1
16
作者 阮育娇 张小英 +3 位作者 陈松岩 李成 赖虹凯 汤丁亮 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第8期1202-1205,共4页
采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现... 采用金属键合技术结合激光剥离技术将GaN基LED从蓝宝石衬底成功转移到Si衬底上。利用X射线光电子谱(XPS)研究不同阻挡层对Au向GaN扩散所起的阻挡作用,确定键合所需的金属过渡层。利用多层金属过渡层,在真空、温度400℃和加压300 N下实现GaN基LED和Si的键合,通过激光剥离技术将蓝宝石衬底从键合结构上剥离下来,形成GaN基LED/金属层/Si结构。用金相显微镜及原子力显微镜(AFM)观察结构的表面形貌,测得表面粗糙度(RMS)为12.1 nm。X射线衍射(XRD)和Raman测试结果表明,衬底转移后,GaN基LED的结构及其晶体质量没有发生明显变化,而且GaN与蓝宝石衬底间的压应力得到了释放,使得Si衬底上GaN基LED的电致发光(EL)波长发生红移现象。 展开更多
关键词 晶片键合 金属过渡层 激光剥离 GAN基LED
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金霉素链霉菌废菌丝体吸附金(Au^(3+))特性的表征 被引量:17
17
作者 刘月英 傅锦坤 +4 位作者 胡洪波 汤丁亮 林种玉 倪子绵 于新生 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第14期1179-1182,共4页
以金霉素发酵生产中的金霉素链霉菌废菌丝体为生物吸附剂,研究了该菌体吸附金离子的特性.结果表明,该菌体吸附金离子的最适pH值为3.5,其吸附作用是一种快速而非依赖温度的过程.在起始Au3+浓度(100 mg·L-1... 以金霉素发酵生产中的金霉素链霉菌废菌丝体为生物吸附剂,研究了该菌体吸附金离子的特性.结果表明,该菌体吸附金离子的最适pH值为3.5,其吸附作用是一种快速而非依赖温度的过程.在起始Au3+浓度(100 mg·L-1)与菌体浓度(2g·L-1)之比为50mg/g,pH 3.5和 30℃条件下,吸附 45min,菌体对Au3+的吸附量为45.6 mg·g-1,吸附率达 91.2%.菌体所吸附的金可被解吸附.透射电子显微镜观察结果表明,该菌体能将Au3+还原成金颗粒,并形成不同形状和大小的金晶体.X射线光电子能谱分析证明,Au3+能被菌体还原成Au0. 展开更多
关键词 金霉素链霉菌 废菌丝体 生物吸附 金晶体 表征 黄金加工 废液回收
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A thin transition film formed by plasma exposure contributes to the germanium surface hydrophilicity
18
作者 赖淑妹 毛丹枫 +5 位作者 黄志伟 许怡红 陈松岩 李成 黄巍 汤丁亮 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 2016年第9期51-56,共6页
Plasma treatment and 10% NH_4OH solution rinsing were performed on a germanium(Ge) surface.It was found that the Ge surface hydrophilicity after O_2 and Ar plasma exposure was stronger than that of samples subjected t... Plasma treatment and 10% NH_4OH solution rinsing were performed on a germanium(Ge) surface.It was found that the Ge surface hydrophilicity after O_2 and Ar plasma exposure was stronger than that of samples subjected to N_2 plasma exposure. This is because the thin Ge Ox film formed on Ge by O_2 or Ar plasma is more hydrophilic than Ge Ox Ny formed by N_2 plasma treatment. A flat(RMS < 0:5 nm) Ge surface with high hydrophilicity(contact angle smaller than 3°) was achieved by O_2 plasma treatment, showing its promising application in Ge low-temperature direct wafer bonding. 展开更多
关键词 Ar等离子体 锗表面 亲水性 薄膜 等离子体处理 曝光 晶片直接键合 均方根值
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