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掺锑CdSnO_3体系的固溶与导电机制研究 被引量:2
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作者 尚文 刘杏芹 +1 位作者 汤笑婷 沈瑜生 《应用化学》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期60-63,共4页
按CdSbxSn1-xO3进行化学量配比,以化学共沉淀法制得系列掺锑CdSnO3固溶体粉料.XRD分析结果表明,掺锑固溶的x值范围为0<x<0.3.研究固溶体组成与电导的关系发现:随着锑离子的溶入,材料的电阻先是较大... 按CdSbxSn1-xO3进行化学量配比,以化学共沉淀法制得系列掺锑CdSnO3固溶体粉料.XRD分析结果表明,掺锑固溶的x值范围为0<x<0.3.研究固溶体组成与电导的关系发现:随着锑离子的溶入,材料的电阻先是较大程度地降低,然后再缓慢升高,并在掺锑固溶量的x值为0.02和0.25时,分别出现了两个电阻最低点.探讨了体系的固溶性与导电机制. 展开更多
关键词 固溶体 导电机制 气敏材料 偏锡酸镉 气敏半导体
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