1
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Ag与p型GaP欧姆接触的表面特性分析 |
罗彩任
汤英文
赵世彬
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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2
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表面二次阳极氧化对HgCdTe光导器件性能的影响 |
汤英文
朱龙源
游达
许金通
刘诗嘉
庄春泉
李向阳
龚海梅
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《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
2
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3
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碲镉汞表面硫化的光电子能谱及器件性能研究 |
汤英文
庄春泉
许金通
游达
李向阳
龚海梅
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
2
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4
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硅衬底GaN基LED薄膜芯片的应力调制 |
汤英文
熊传兵
王佳斌
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
2
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5
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量子垒结构对Si衬底GaN基绿光LED光电性能的影响 |
汤英文
熊传兵
井晓玉
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《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
1
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6
|
GaN基紫外探测器及其研究进展 |
李向阳
许金通
汤英文
李雪
张燕
龚海梅
赵德刚
杨辉
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《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
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2006 |
45
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7
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空间用紫外探测及AlGaN探测器的研究进展 |
张燕
龚海梅
白云
陈亮
许金通
汤英文
游达
赵德刚
郭丽伟
李向阳
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
18
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8
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Ⅲ族氮化物紫外探测器及其研究进展 |
龚海梅
李向阳
亢勇
许金通
汤英文
李雪
张燕
赵德刚
杨辉
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
14
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9
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高量子效率前照式GaN基p-i-n结构紫外探测器 |
游达
汤英文
赵德刚
许金通
徐运华
龚海梅
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
5
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10
|
高Al含量AlGaN多层外延材料的应变与位错密度研究 |
游达
王庆学
汤英文
龚海梅
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
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2005 |
4
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11
|
(NH_4)_2S硫化后ZnS/InP界面的电学特性 |
庄春泉
汤英文
黄杨程
吕衍秋
龚海梅
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
2
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12
|
p-GaN/Al_(0.35)Ga_(0.65)N/GaN应变量子阱肖特基紫外探测器 |
游达
许金通
汤英文
何政
徐运华
龚海梅
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2006 |
1
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13
|
背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能 |
陈亮
游达
汤英文
乔辉
陈俊
赵德刚
张燕
李向阳
龚海梅
|
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
|
2006 |
1
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14
|
退火对硫化后的P^+型InP表面性能的影响 |
庄春泉
汤英文
龚海梅
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
1
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15
|
HgCdTe光伏器件多层钝化膜等离子体处理的研究 |
储开慧
乔辉
汤英文
陈江峰
胡亚春
贾嘉
李向阳
龚海梅
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《光学仪器》
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2006 |
1
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16
|
P型氮化镓表面的X射线光电子能谱研究 |
许金通
汤英文
游达
龚海梅
李向阳
赵德刚
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《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
|
2005 |
0 |
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17
|
Si衬底上侧向外延生长GaN的研究 |
曹峻松
郑畅达
全知觉
方芳
汤英文
王立
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2015 |
3
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18
|
硅衬底氮化镓基LED薄膜转移至柔性黏结层基板后其应力及发光性能变化的研究 |
黄斌斌
熊传兵
汤英文
张超宇
黄基锋
王光绪
刘军林
江风益
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2015 |
2
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19
|
图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究 |
张超宇
熊传兵
汤英文
黄斌斌
黄基锋
王光绪
刘军林
江风益
|
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
|
2015 |
1
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20
|
垂直结构氮化镓基LED表面粗化的仿真模拟 |
赵世彬
汤英文
陈国良
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《科学技术创新》
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2018 |
0 |
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